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采集方式
OAI收割 [59]
iSwitch采集 [11]
内容类型
期刊论文 [44]
专利 [19]
会议论文 [5]
学位论文 [2]
发表日期
1999 [70]
学科主题
半导体材料 [11]
半导体物理 [2]
Physics [1]
半导体化学 [1]
生物学 [1]
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共70条,第1-10条
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发表日期:1999
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Temperature regulating laser diode assembly
专利
OAI收割
专利号: EP0823142B1, 申请日期: 1999-11-03, 公开日期: 1999-11-03
作者:
FREYMAN, CHRISTOPHER, A.
;
DIDOMIZIO, RICHARD, A.
;
ROBB, JAMES, A.
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2019/12/24
Two-dimensional ordering of self-assembled inxgal-xas quantum dots grown on gaas(311)b surfaces
期刊论文
iSwitch采集
Journal of crystal growth, 1999, 卷号: 206, 期号: 4, 页码: 279-286
作者:
Xu, HZ
;
Jiang, WH
;
Xu, B
;
Zhou, W
;
Wang, ZG
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2019/05/12
Two-dimensional (2d) ordering
Quantum dot array
Inxga1-xas
Self-assembly
Molecular beam epitaxy
Gaas(311)b
High index
Indium composition dependence of the size uniformity of ingaas quantum dots on (311)b gaas grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
iSwitch采集
Journal of materials science & technology, 1999, 卷号: 15, 期号: 6, 页码: 523-526
作者:
Jiang, WH
;
Xu, HZ
;
Xu, B
;
Zhou, W
;
Gong, Q
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2019/05/12
Effect of si overgrowth on the structural and luminescence properties of ge islands on si(100)
期刊论文
iSwitch采集
Journal of crystal growth, 1999, 卷号: 207, 期号: 1-2, 页码: 150-153
作者:
Liu, JP
;
Wang, JZ
;
Huang, DD
;
Li, JP
;
Sun, DZ
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2019/05/12
Alignment determination of symmetric top molecule using rotationally resolved LIF
期刊论文
OAI收割
chemical physics, 1999, 卷号: 249, 期号: 2-3, 页码: 183-190
作者:
Cong, SL
;
Han, KL
;
Lou, NQ
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提交时间:2010/11/30
laser-induced fluorescence
excitation-detection geometry
molecular population
Effect of Si overgrowth on the structural and luminescence properties of Ge islands on Si(100)
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1999, 卷号: 207, 期号: 1-2, 页码: 150-153
作者:
Liu, JP
;
Wang, JZ
;
Huang, DD
;
Li, JP
;
Sun, DZ
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提交时间:2021/02/02
Micromirror for a hybrid optoelectronic integrated circuit, a method for manufacturing the same, a micromirror-photodetector assembly and an assembly of hybrid optoelectronic integrated circuit for receiving light
专利
OAI收割
专利号: US5972232, 申请日期: 1999-10-26, 公开日期: 1999-10-26
作者:
LEE, SANG HWAN
;
HWANG, NAM
;
SONG, MIN KYU
;
LEE, HEE TAE
;
PYUN, KWANG EUI
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提交时间:2019/12/24
VCSEL with integrated photodetectors for automatic power control and signal detection in data storage
专利
OAI收割
专利号: US5974071, 申请日期: 1999-10-26, 公开日期: 1999-10-26
作者:
JIANG, WENBIN
;
LEBBY, MICHAEL S.
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提交时间:2019/12/24
Two-dimensional ordering of self-assembled inxga1-xas quantum dots grown on gaas(311)b surfaces
期刊论文
iSwitch采集
Journal of crystal growth, 1999, 卷号: 205, 期号: 4, 页码: 481-488
作者:
Xu, HZ
;
Jiang, WH
;
Xu, B
;
Zhou, W
;
Wang, ZG
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提交时间:2019/05/12
Two-dimensional (2d) ordering
Quantum dot array
Inxga1-xas
Self-assembly
Molecular beam epitaxy
Gaas(311)b
High-index
Fabrication of ingaas quantum dots with an underlying ingaalas layer on gaas(100) and high index substrates by molecular beam epitaxy
期刊论文
iSwitch采集
Journal of crystal growth, 1999, 卷号: 205, 期号: 4, 页码: 607-612
作者:
Jiang, WH
;
Xu, HZ
;
Xu, B
;
Wu, J
;
Ye, XL
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2019/05/12
Quantum dots
Ingaas/ingaalas
Adjusting layer
Molecular beam epitaxy
High index