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OAI收割 [27]
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期刊论文 [17]
专利 [9]
会议论文 [1]
发表日期
1989 [27]
学科主题
Astronomy ... [1]
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共27条,第1-10条
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发表日期:1989
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Method of adjustment of laser diode temperature and device for effecting same
专利
OAI收割
专利号: SU1530104A3, 申请日期: 1989-12-15, 公开日期: 1989-12-15
作者:
TAMASH SIRANI,HU
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提交时间:2019/12/23
Electric signal observation device
专利
OAI收割
专利号: JP1989301182A, 申请日期: 1989-12-05, 公开日期: 1989-12-05
作者:
AOSHIMA SHINICHIRO
;
URAGAMI TSUNEYUKI
;
TSUCHIYA YUTAKA
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提交时间:2019/12/31
Semiconductor laser power control circuit
专利
OAI收割
专利号: JP1989237938A, 申请日期: 1989-09-22, 公开日期: 1989-09-22
作者:
SENOO HIROMI
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提交时间:2020/01/13
Manufacture of semiconductor structure
专利
OAI收割
专利号: JP1989232715A, 申请日期: 1989-09-18, 公开日期: 1989-09-18
作者:
FUKUZAWA TADASHI
;
ITO KAZUHIRO
;
NAKAMURA HITOSHI
;
MATSUDA HIROSHI
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提交时间:2020/01/18
Light source light quantity control device and laser light quantity control device
专利
OAI收割
专利号: JP1989220143A, 申请日期: 1989-09-01, 公开日期: 1989-09-01
作者:
AOI SHIGERU
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提交时间:2019/12/31
Semiconductor laser driving circuit
专利
OAI收割
专利号: JP1989204224A, 申请日期: 1989-08-16, 公开日期: 1989-08-16
作者:
HORIKAWA MITSUHIRO
;
YANAGISAWA MICHIO
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提交时间:2020/01/13
Formation of edge face preventive film of semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1989138785A, 申请日期: 1989-05-31, 公开日期: 1989-05-31
作者:
UCHIDA MAMORU
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提交时间:2019/12/31
Semiconductor laser bean driving circuit
专利
OAI收割
专利号: JP1989010430A, 申请日期: 1989-01-13, 公开日期: 1989-01-13
作者:
MIYAZAWA TAKAO
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提交时间:2019/12/31
Method of epitaxial growth of (IV)x(iii-v)(1-x) alloy and method of converting group iii-v semiconductor structure into irregular alloy and hetero structure and semiconductor device constituted by the same
专利
OAI收割
专利号: JP1989001227A, 申请日期: 1989-01-05, 公开日期: 1989-01-05
作者:
ROBAATO DEII BAANAMU
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提交时间:2019/12/31
PULSED LASER PHOTOACOUSTIC CALORINETER AND THE DIRECT HEASUREMENTS OF RADIATIONLESS QUANTUM YIELDS OF COUMARINS
期刊论文
OAI收割
ACTA PHYSICO-CHIMICA SINICA, 1989, 卷号: 5, 期号: 4, 页码: 463-468
作者:
Song Xiaoqing
;
Chen Jianxin
;
Zhang Xingkang
;
Xu Guangzhi
;
Tang Youqi
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提交时间:2019/04/09