机构

• 半导体研究所 [3]
• 西安光学精密机械研究... [2]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 专利 [2]
• 期刊论文 [2]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2003 [5]

学科主题

• 半导体材料 [3]

筛选

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2003     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Optical waveguides and optical devices with optical waveguides 专利  OAI收割 专利号: US20030202764A1, 申请日期: 2003-10-30, 公开日期: 2003-10-30 作者:  LEE, YOUNGKUN;  HOSOMI, KAZUHIKO;  KATSUYAMA, TOSHIO;  TOMARU, TATSUYA   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/30 Photonic-crystal distributed-feedback and distributed bragg-reflector lasers 专利  OAI收割 专利号: US20030169787A1, 申请日期: 2003-09-11, 公开日期: 2003-09-11 作者:  VURGAFTMAN, IGOR;  MEYER, JERRY   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/31 High-mobility Ga-polarity GaN achieved by NH3-MBE 会议论文  OAI收割 symposium on gan and related alloys held at the 2002 mrs fall meeting, boston, ma, dec 02-06, 2002 Wang JX; Wang XL; Sun DZ; Li JM; Zeng YP; Hu GX; Liu HX; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/10/29 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ION-SCATTERING SPECTROSCOPY  LATTICE POLARITY  SINGLE-CRYSTALS  FILMS  POLARIZATION  GAN(0001)  SURFACES  GROWTH  DIODES   Epitaxial growth and characterization of SiC on C-plane sapphire substrates by ammonia nitridation 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 249, 期号: 1-2, 页码: 1-8 Luo MC; Li JM; Wang QM; Sun GS; Wang L; Li GR; Zeng YP; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2010/08/12 infrared reflectivity  Raman  sapphire substrate  X-ray diffraction  chemical vapor deposition  SiC  GAN  FILMS   Fabrication of novel double-hetero-epitaxial SOT structure Si/gamma-Al2O3/Si 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 247, 期号: 3-4, 页码: 255-260 Tan LW; Wang QY; Wang J; Yu YH; Liu ZL; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/08/12 heteroepitaxial growth  gamma-Al2O3  silicon  silicon on insulator  FILMS  SI  DEPOSITION  AL2O3