中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
西安光学精密机械研究... [2]
金属研究所 [1]
半导体研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [4]
内容类型
专利 [2]
期刊论文 [2]
发表日期
1990 [4]
学科主题
半导体材料 [1]
筛选
浏览/检索结果:
共4条,第1-4条
帮助
限定条件
发表日期:1990
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
提交时间升序
提交时间降序
发表日期升序
发表日期降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
Manufacture of semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1990307286A, 申请日期: 1990-12-20, 公开日期: 1990-12-20
作者:
HIRATA TAKAAKI
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:9/0
  |  
提交时间:2020/01/13
Semiconductor light emitting element
专利
OAI收割
专利号: JP1990033990A, 申请日期: 1990-02-05, 公开日期: 1990-02-05
作者:
SASAKI TATSUYA
;
KITAMURA MITSUHIRO
;
TAKANO SHINJI
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:9/0
  |  
提交时间:2020/01/13
EXPERIMENTAL-DETERMINATION OF THE INTRINSIC STACKING-FAULT ENERGY OF SIC CRYSTALS
期刊论文
OAI收割
Journal of Physics-Condensed Matter, 1990, 卷号: 2, 期号: 50, 页码: 10223-10225
X. G. Ning
;
H. Q. Ye
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2012/04/14
silicon-carbide
growth
ELIMINATION OF STACKING-FAULTS IN A SILICON EPITAXIAL LAYER OF (100) ORIENTATION BY HEAT-TREATMENT
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, 1990, 卷号: 67, 期号: 11, 页码: 7176-7178
CAI TH
收藏
  |  
浏览/下载:211/63
  |  
提交时间:2010/11/15