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发表日期:1989
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Method of coating the resonator end surface of semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1989318272A, 申请日期: 1989-12-22, 公开日期: 1989-12-22
作者:
SHONO MASAYUKI
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提交时间:2019/12/31
Semiconductor laser apparatus
专利
OAI收割
专利号: JP1989318275A, 申请日期: 1989-12-22, 公开日期: 1989-12-22
作者:
SHIBANUMA NAOTERU
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提交时间:2020/01/13
Method of screening highly reliable semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1989318274A, 申请日期: 1989-12-22, 公开日期: 1989-12-22
作者:
SUZUKI MASAMITSU
;
NAKANISHI TAKUJI
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提交时间:2019/12/31
Semiconductor laser modulating device
专利
OAI收割
专利号: JP1989316762A, 申请日期: 1989-12-21, 公开日期: 1989-12-21
作者:
NAGASAWA KIYOTO
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提交时间:2019/12/31
Near infrared monomode light source and tunable optical amplifier
专利
OAI收割
专利号: EP0187058B1, 申请日期: 1989-12-20, 公开日期: 1989-12-20
作者:
POCHOLLE, JEAN-PAUL
;
RAFFY, JEAN
;
PAPUCHON, MICHEL
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提交时间:2019/12/23
Manufacture of semiconductor light emitting device
专利
OAI收割
专利号: JP1989313985A, 申请日期: 1989-12-19, 公开日期: 1989-12-19
作者:
ISOZUMI SHOJI
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提交时间:2020/01/13
Method of adjustment of laser diode temperature and device for effecting same
专利
OAI收割
专利号: SU1530104A3, 申请日期: 1989-12-15, 公开日期: 1989-12-15
作者:
TAMASH SIRANI,HU
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提交时间:2019/12/23
Semiconductor laser device and its manufacture
专利
OAI收割
专利号: JP1989309393A, 申请日期: 1989-12-13, 公开日期: 1989-12-13
作者:
OTOSHI SO
;
OISHI AKIO
;
UOMI KAZUHISA
;
YAMAGUCHI KEN
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提交时间:2020/01/13
Test method for semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1989305585A, 申请日期: 1989-12-08, 公开日期: 1989-12-08
作者:
NAKAI TAKAYUKI
;
OOUCHI YASUNORI
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提交时间:2019/12/31
THE ROOM-TEMPERATURE PHASE OF PROPENE ON RH(111) - A CAVEAT ON THERMAL-PROCESSING FOR THE PRODUCTION OF ADSORBED PHASES AT DEFINITE TEMPERATURES
期刊论文
OAI收割
SURFACE SCIENCE, 1989, 卷号: 223, 期号: 3, 页码: L927-L936
作者:
ZHAI, RS
;
WANG, DZ
;
WU, K
;
CAO, YM
;
GUO, XX
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提交时间:2019/06/20