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  • 2001 [42]
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Semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: US20010053169A1, 申请日期: 2001-12-20, 公开日期: 2001-12-20
作者:  YOSHIDA, JUNJI;  TSUKIJI, NAOKI
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High-power semiconductor laser device having current confinement structure and index-guided structure and stably oscillating in single mode 专利  OAI收割
专利号: US20010033591A1, 申请日期: 2001-10-25, 公开日期: 2001-10-25
作者:  FUKUNAGA, TOSHIAKI;  WADA, MITSUGU;  MATSUMOTO, KENJI
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Group III-V complex vertical cavity surface emitting laser diode and method for manufacturing the same 专利  OAI收割
专利号: US6306672, 申请日期: 2001-10-23, 公开日期: 2001-10-23
作者:  KIM, TAEK
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Circulation condition of the two-component Bose-Einstein condensate 期刊论文  OAI收割
PHYSICS LETTERS A, 2001, 卷号: 289, 期号: 29, 页码: 245-250
作者:  Lee, X;  Jia, DJ;  Duan, YS
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Structure and photoluminescence of ingaas quantum dots formed on an inalas wetting layer 期刊论文  iSwitch采集
Chinese physics letters, 2001, 卷号: 18, 期号: 10, 页码: 1411-1414
作者:  Zhang, YC;  Huang, CJ;  Ye, XL;  Xu, B;  Ding, D
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Size limit and spontaneous emission factor for equilateral triangle semiconductor microlasers 期刊论文  iSwitch采集
Iee proceedings-optoelectronics, 2001, 卷号: 148, 期号: 5-6, 页码: 229-232
作者:  Huang, YZ;  Guo, WH;  Yu, LJ
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Fundamental-transverse-mode index-guided semiconductor laser device having upper optical waveguide layer thicker than lower optical waveguide layer 专利  OAI收割
专利号: US20010021212A1, 申请日期: 2001-09-13, 公开日期: 2001-09-13
作者:  HAYAKAWA, TOSHIRO;  FUKUNAGA, TOSHIAKI
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Buried hetero-structure InP-based opto-electronic device with native oxidized current blocking layer 专利  OAI收割
专利号: US6287884, 申请日期: 2001-09-11, 公开日期: 2001-09-11
作者:  JIE, WANG ZHI;  JIN, CHUA SOO
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질화물 발광 소자 专利  OAI收割
专利号: KR1020010077530A, 申请日期: 2001-08-20, 公开日期: 2001-08-20