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• 半导体研究所 [50]

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发表日期

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学科主题

• 光电子学 [50]

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浏览/检索结果: 共50条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Effect of V-defects on the performance deterioration of InGaN_GaN multiple-quantum-well light-emitting diodes with varying barrier layer thickness 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, Journal of Applied Physics, 2013, 2013, 卷号: 114, 114, 期号: 14, 页码: 143706, 143706 作者:  Le, L. C.;  Zhao, D. G.;  Jiang, D. S.;  Li, L.;  Wu, L. L.   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2014/04/09 Efficacy and reliability of long-term implantation of multi-channel microelectrode arrays in the optical nerve sheath of rabbit eyes 期刊论文  OAI收割 vision research, 2011, 卷号: 51, 期号: 17, 页码: 1897-1906 Wang K; Li XQ; Li XX; Pei WH; Chen HD; Dong JQ 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/02/06 ELECTRICAL-STIMULATION  RETINITIS-PIGMENTOSA  EVOKED-POTENTIALS  ARTIFICIAL VISION  VISUAL-CORTEX  INNER RETINA  PROSTHESIS  ELECTRODE  CELL  ABNORMALITIES   Hybrid point/ring-defect photonic crystal VCSEL with high spectral purity and high output power 期刊论文  OAI收割 laser physics, 2011, 卷号: 21, 期号: 2, 页码: 379-382 Liu AJ; Chen W; Qu HW; Zhou WJ; Zheng WH 收藏  |  浏览/下载：47/3  |  提交时间：2011/07/06 SURFACE-EMITTING LASERS  SEMICONDUCTOR-LASERS  ARRAYS  EMISSION   A practical route towards fabricating GaN nanowire arrays 期刊论文  OAI收割 crystengcomm, 2011, 卷号: 13, 期号: 19, 页码: 5929-5935 Liu, JQ; Huang, J; Gong, XJ; Wang, JF; Xu, K; Qiu, YX; Cai, DM; Zhou, TF; Ren, GQ; Yang, H 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2012/02/06 LIGHT-EMITTING-DIODES  EPITAXIAL LATERAL OVERGROWTH  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  WELL NANOROD ARRAYS  ULTRAVIOLET-LIGHT  GROWTH  NANOGENERATORS  DISLOCATIONS  BRIGHTNESS  LAYERS   Design of a photonic crystal microcavity for biosensing 期刊论文  OAI收割 journal of semiconductors, 2011, 卷号: 32, 期号: 3, 页码: 34008 Li, Junhua; Kan, Qiang; Wang, Chunxia; Su, Baoqing; Xie, Yiyang; Chen, Hongda 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2012/06/13 Defects  Finite difference time domain method  Light refraction  Photonic crystals  Refractive index  Refractometers   Spatial hole burning degradation of AlGaAs/GaAs laser diodes 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 2011, 卷号: 99, 99, 期号: 10, 页码: 103506, 103506 作者:  Qiao YB;  Feng SW;  Xiong C;  Wang XW;  Ma XY   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/01/06 FACETS  OPERATION  Facets  Operation   Thickness dependent dislocation, electrical and optical properties in InN films grown by MOCVD 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 5, 页码: 3416-3420 作者:  Li Y;  Chen P;  Jiang DS;  Wang H;  Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：49/4  |  提交时间：2010/03/08 InN  dislocation  carrier origination  localization   Nature of interfacial defects and their roles in strain relaxation at highly lattice mismatched 3C-SiC/Si (001) interface 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 7, 页码: art.no.073522 Wen C; Wang YM; Wan W; L, FH; Liang JW; Zou J 收藏  |  浏览/下载：141/41  |  提交时间：2010/03/08 RESOLUTION ELECTRON-MICROSCOPY   The influence of growth temperature and input V/III ratio on the initial nucleation and material properties of InN on GaN by MOCVD 期刊论文  OAI收割 semiconductor science and technology, 2009, 卷号: 24, 期号: 5, 页码: art. no. 055001 作者:   收藏  |  浏览/下载：88/41  |  提交时间：2010/03/08 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ELECTRON-TRANSPORT  BAND-GAP  FILMS  SAPPHIRE   Cathodoluminescence study of GaN-based film structures 期刊论文  OAI收割 journal of materials science-materials in electronics, 2008, 卷号: 19, 页码: s58-s63 suppl. 1 作者:  Yang H;  Zhao DG;  Zhu JJ;  Zhang SM;  Yang H 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2010/03/08