机构

• 半导体研究所 [5]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 期刊论文 [5]

发表日期

• 2016 [2]
• 2012 [1]
• 2008 [1]
• 1994 [1]

学科主题

• 半导体器件 [5]

筛选

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体器件     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Analysis of Photoluminescence Thermal Quenching: Guidance for the Design of Highly Effective p-type Doping of Nitrides 期刊论文  OAI收割 scientific reports, 2016, 卷号: 6, 页码: 32033 Zhiqiang Liu; Yang Huang; Xiaoyan Yi; Binglei Fu; Guodong Yuan; Junxi Wang; Jinmin Li; Yong Zhang 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2017/03/16 Interface and photoluminescence characteristics of graphene-(GaN/InGaN)n multiple quantum wells hybrid structure 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2016, 卷号: 119, 期号: 14, 页码: 143105(1-7) Liancheng Wang; Zhiqiang Liu; Zi-Hui Zhang; Ying Dong Tian; Xiaoyan Yi; Junxi Wang; Jinmin Li; Guohong Wang 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2017/03/16 Anomalous temperature dependence of photoluminescence in self-assembled InGaN quantum dots 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 2012, 卷号: 101, 101, 期号: 13, 页码: 131101, 131101 作者:  Ma J (Ma, Jun);  Ji XL (Ji, Xiaoli);  Wang GH (Wang, Guohong);  Wei XC (Wei, Xuecheng);  Lu HX (Lu, Hongxi)   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2013/03/27 Low-Temperature Growth of ZnO Films on GaAs by Metal Organic Chemical Vapor Deposition 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 1, 页码: 12-16 Shi Huiling; Ma Xiaoyu; Hu Like; Chong Feng 收藏  |  浏览/下载：126/23  |  提交时间：2010/11/23 PRESSURE-DEPENDENCE OF PHOTOLUMINESCENCE IN IN(X)GA(1-X)AS/AL(Y)GA(1-Y)AS STRAINED QUANTUM-WELLS WITH DIFFERENT WIDTH 期刊论文  OAI收割 solid-state electronics, 1994, 卷号: 37, 期号: 0, 页码: 885-888 LIU ZX; LI GH; HAN HX; WANG ZP 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/15