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机构
上海技术物理研究所 [5]
采集方式
OAI收割 [5]
内容类型
期刊论文 [3]
学位论文 [2]
发表日期
2013 [1]
2011 [2]
2008 [1]
2007 [1]
学科主题
红外基础研究 [5]
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浏览/检索结果:
共5条,第1-5条
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学科主题:红外基础研究
条数/页:
5
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Shallow-terrace-like interface in dilute-bismuth GaSb/AlGaSb single quantum wells evidenced by photoluminescence
期刊论文
OAI收割
J.Appl.Phys, 2013, 卷号: 113, 期号: 15
XirenChen YuxinSong LiangZhu S.M.Wang WeiLu ShaolingGuoandJunShao
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2014/11/10
Quantumwells
Photoluminescence
III-Vsemiconductors
Thinfilmgrowth
Bandgap
碲镉汞薄膜及InAs/GaAs量子点红外调制光谱研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2011
作者:
马丽丽
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提交时间:2012/08/22
碲镉汞
Inas自组织量子点
光致发光谱
调制反射光谱
光谱分辨率
Infrared photoluminescence of arsenic-doped HgCdTe in a wide temperature range of up to 290 K
期刊论文
OAI收割
J.Appl.Phys., 2011, 卷号: 110, 期号: 4
作者:
X.H.Zhang
;
J.Shao
;
L.Chen
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2012/10/23
Enhancing the photoluminescence of InASP/INP strained multiple quantum wells by H+ ions implantation
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2008, 卷号: 93, 页码: 92908
作者:
Yang J(杨静)
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提交时间:2011/07/08
掺杂碲镉汞中长波红外发光和吸收谱研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2007
作者:
越方禹
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提交时间:2012/08/14
碲镉汞
外延薄膜
砷掺杂
反常吸收
步进扫描
调制光致发光