机构

• 兰州化学物理研究所 [4]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2016 [2]
• 2015 [1]
• 2012 [1]

学科主题

• 材料科学与物理化学 [4]

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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：材料科学与物理化学     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Electrical characterization of Cu Schottky contacts to n-type GaAsN grown on (311)A/B GaAs substrates 期刊论文  OAI收割 Journal of Alloys and Compounds, 2016, 卷号: 657, 页码: 325-329 作者:  Dong C(董琛);  Han XX(韩修训);  Gao, Xin;  Yoshio Ohshita;  Masafumi Yamaguchi 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2015/12/30 GaAsN  Schottky diode  Growth orientation  I-V characteristics  C-V characteristics  Electrical properties   Partially reduced SnO2 nanoparticles anchored on carbon nanofibers for high performance sodium-ion batteries 期刊论文  OAI收割 Electrochemistry Communications, 2016, 卷号: 72, 页码: 91-95 作者:  Liu, Zhiming;  Taeseup Song;  Joo Hyun Kim;  Li ZP(李章朋);  Xiang, Juan 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2016/12/23 SnO2  Reduced Sn  Carbon  Rate capability  Sodium-ion batteries   Growth orientation dependence of Si doping in GaAsN 期刊论文  OAI收割 Journal of Applied Physics, 2015, 卷号: 117, 期号: 5, 页码: 055706(1-4) 作者:  Han XX(韩修训);  Dong C(董琛);  Feng, Qiang;  Ohshita, Yoshio;  Yamaguchi, Masafumi 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2015/12/30 Effects of a key deep level and interface states on the performance of GaAsN solar cells: a simulation analysis 期刊论文  OAI收割 Semiconductor Science and Technology, 2012, 卷号: 27, 期号: 10, 页码: 105013(1-6) 作者:  Han, Xiuxun;  Hwang, Jong-Ha;  Kojima, Nobuaki;  Ohshita, Yoshio;  Yamaguchi, Masafumi 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2013/12/17