机构

• 微电子研究所 [5]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 外文期刊 [5]

发表日期

• 2010 [1]
• 2009 [1]
• 2007 [1]
• 2001 [1]
• 1996 [1]

学科主题

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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 内容类型：外文期刊     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 The photoluminescence of SiCN thin films prepared by C+ implantation into alpha-SiNx:H 外文期刊  OAI收割 2010 作者:  Dong, LJ;  Zhang, GB;  Xu, PS;  Chen, DP;  Chen, CO   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/26 Deposition  Xps   Size dependence of biexciton binding energy in single InAs/GaAs quantum dots 外文期刊  OAI收割 2009 作者:  Dou, XM;  Sun, BQ;  Huang, SS;  Ni, HQ;  Niu, ZC   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/26 Gaas  Amplifiers  Photons  Density  Growth  Lasers   Photoluminescence of Si-rich SiNx films deposited by LPCVD under different conditions 外文期刊  OAI收割 2007 作者:  Wang, XB;  Liu, YZ;  Chen, DP;  Dong, LJ;  Chen, C   |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2010/11/26 Chemical Vapor-deposition  Silicon-nitride  Thin-films   Effects of Si, Ge and Ar ion-implantation on EL from Au/Si-rich SiO2/p-Si structure 外文期刊  OAI收割 2001 作者:  Chen, Y;  Ran, GZ;  Sun, YK;  Wang, YB;  Fu, JS   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/26 Silicon-dioxide Films  Visible Electroluminescence  Optical-properties  Photoluminescence  Enhancement  Sio2-films  Glass   Photoluminescence enhancement of (NH4)(2)S-x passivated InP surface by rapid thermal annealing 外文期刊  OAI收割 1996 作者:  Chen, WD;  Li, XQ;  Duan, LH;  Xie, XL;  Cui, YD   |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2010/11/26