机构

• 半导体研究所 [4]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2011 [1]
• 2010 [1]
• 1998 [1]
• 1996 [1]

学科主题

• 半导体材料 [2]
• 半导体物理 [2]

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Influence of growth conditions on the V-defects in InGaN/GaN MQWs 期刊论文  OAI收割 journal of semiconductors, Journal of Semiconductors, 2011, 2011, 卷号: 32, 32, 期号: 10, 页码: 103001, 103001 作者:  Ji, Panfeng;  Liu, Naixin;  Wei, Xuecheng;  Liu, Zhe;  Lu, Hongxi   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/06/14 Gallium nitride  Growth temperature  Semiconductor quantum wells  Surface defects  Gallium Nitride  Growth Temperature  Semiconductor Quantum Wells  Surface Defects   Origin of flat-band voltage sharp roll-off in metal gate/high-k/ultrathin- SiO2/Si p-channel metal-oxide-semiconductor stacks 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 13, 页码: art. no. 132908 Zheng XH (Zheng X. H.); Huang AP (Huang A. P.); Xiao ZS (Xiao Z. S.); Yang ZC (Yang Z. C.); Wang M (Wang M.); Zhang XW (Zhang X. W.); Wang WW (Wang W. W.); Chu PK (Chu Paul K.) 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/14 OXYGEN  GATE  DIFFUSION  FILMS   Boron diffusion in Ge+ premorphized and BF2+ implanted Si(001) 期刊论文  OAI收割 revista mexicana de fisica, 1998, 卷号: 44, 期号: 0, 页码: 85-88 Zou LF; Acosta-Ortiz SE; Zou LX; Regalado LE; Sun DZ; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/08/12 diffusion  implantation  Ge ion  BF2 ion  ION-IMPLANTATION  REGROWTH  SILICON  LAYERS  ELECTRICAL-PROPERTIES   Photoluminescence studies of GaAs/AlGaAs single quantum well intermixed by Ga+ ion implantation 期刊论文  OAI收割 solid state communications, 1996, 卷号: 98, 期号: 12, 页码: 1039-1042 Sai N; Zheng BZ; Xu JZ; Zhang PH; Yang XP; Xu ZY 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/17 quantum wells  intermixing  photoluminescence  INTERDIFFUSION  WIRES