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共135条,第1-10条
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高次谐波的产生和调控研究
学位论文
OAI收割
北京: 中国科学院大学, 2023
作者:
徐帅
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2024/01/19
高次谐波
超快光学
量子限域效应
载流子动力学
缺陷探测
具有高介电常数限制孔的VCSEL器件及其制备方法
专利
OAI收割
专利号: CN110277732A, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24
作者:
张勇辉
;
杭升
;
张紫辉
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2019/12/30
高效热活化延迟荧光OLED和近红外光探测器及其集成上转换发光器件研究
学位论文
OAI收割
中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2019
作者:
宋乔刚
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提交时间:2020/08/24
非掺杂
热活化延迟荧光发光二极管
n型阳极缓冲层
近红外光探测器
上转换发光器件
铁磁半导体 花落两维里
期刊论文
OAI收割
物理, 2018, 卷号: 47, 期号: 10, 页码: 670-675
作者:
韩拯
;
杨腾
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2018/12/25
Cr
隧穿结
铁磁半导体
二维材料
场效应器件
载流子浓度
自旋场
石墨烯
二维半导体
半导体器件及其制造方法
专利
OAI收割
专利号: CN201210293525.X, 申请日期: 2018-09-14, 公开日期: 2014-02-19
作者:
马小龙
;
殷华湘
;
付作振
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/03/22
一种MOSFET结构及其制造方法
专利
OAI收割
专利号: CN201310477078.8, 申请日期: 2018-06-19, 公开日期: 2015-04-29
作者:
尹海洲
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提交时间:2019/03/21
一种非易失性存储器单元、其制备方法及非易失性存储器
专利
OAI收割
专利号: CN108091657A, 申请日期: 2018-05-29, 公开日期: 2018-05-29
作者:
陈一仁
;
宋航
;
黎大兵
;
蒋红
;
缪国庆
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提交时间:2019/12/30
InGaAs单光子雪崩光电二极管研究
学位论文
OAI收割
北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:
曹思宇
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提交时间:2018/05/28
雪崩光电二极管
理论与仿真分析
电荷层
隧穿效应
单光子雪崩光电二极管
InGaAs单光子雪崩光电二极管研究
学位论文
OAI收割
北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:
曹思宇
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提交时间:2018/06/04
雪崩光电二极管
理论与仿真分析
电荷层
隧穿效应
单光子雪崩光电二极管