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Characterization of Zn-doped GaN grown by metal-organic vapor phase epitaxy
期刊论文
OAI收割
Rare Metals, 2020, 卷号: 39, 期号: 11, 页码: 1328-1332
作者:
C. T. Wu,Y. Zhou,Q. Y. Sun,L. Q. Huang,A. L. Li and Z. M. Li
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A METHOD FOR GaN VERTICAL MICROCAVITY SURFACE EMITTING LASER (VCSEL)
专利
OAI收割
专利号: EP3201952A4, 申请日期: 2018-05-23, 公开日期: 2018-05-23
作者:
HAN, JUNG
;
ZHANG, CHENG
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Photoelectron spectroscopy study of AlN films grown on n-type 6H-SiC by MOCVD
期刊论文
OAI收割
APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2016, 卷号: 122, 期号: 9
作者:
Liang, F
;
Chen, P
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Zhao, ZJ
收藏
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Large field emission current from Si-doped AlN film grown by MOCVD on n-type (001) 6H-SiC
期刊论文
OAI收割
CHEMICAL PHYSICS LETTERS, 2016, 卷号: 651
作者:
Liang, F
;
Chen, P
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Liu, ZS
收藏
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Method of forming p-type gallium nitride based semiconductor, method of forming nitride semiconductor device, and method of forming epitaxial wafer
专利
OAI收割
专利号: US8815621, 申请日期: 2014-08-26, 公开日期: 2014-08-26
作者:
UENO, MASAKI
;
YOSHIZUMI, YUSUKE
;
NAKAMURA, TAKAO
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收藏
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AlPO<sub>4</sub>基介孔玻璃的溶胶凝胶合成与发光应用
学位论文
OAI收割
博士: 中国科学院上海光学精密机械研究所, 2014
作者:
何进
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Structural and optical study of irradiation effect in GaN epilayers induced by 308 MeV Xe ions
期刊论文
OAI收割
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2011, 卷号: 269, 期号: 15, 页码: 1782-1785
作者:
Li, B. S.
;
Zhang, L. M.
;
Zhang, C. H.
;
Zhang, L. Q.
;
Jia, X. J.
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收藏
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Phosphor-converted LED devices having improved light distribution uniformity
专利
OAI收割
专利号: GB2466892B, 申请日期: 2011-02-23, 公开日期: 2011-02-23
作者:
SU LIN OON
;
HONG HUAT YEOH
;
SIEW IT PANG
;
MENG EE LEE
;
KIAN SHIN LEE
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收藏
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Phosphor-converted LED devices having improved light distribution uniformity
专利
OAI收割
专利号: GB2466892B, 申请日期: 2011-02-23, 公开日期: 2011-02-23
作者:
SU LIN OON
;
HONG HUAT YEOH
;
SIEW IT PANG
;
MENG EE LEE
;
KIAN SHIN LEE
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Theoretical study of polarization-doped GaN-based light-emitting diodes
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, Applied Physics Letters, 2011, 2011, 卷号: 98, 98, 期号: 10, 页码: 101110, 101110
作者:
Zhang, L.
;
Ding, K.
;
Liu, N.X.
;
Wei, T.B.
;
Ji, X.L.
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