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	一种基于硅基氮化镓和二硫化钨单层膜的二维激子激光器及其制备方法专利 OAI收割专利号: CN110233427A, 申请日期: 2019-09-13, 公开日期: 2019-09-13 作者: 蔡玮; 韩冰; 王新迪 \| 收藏 \| 浏览/下载：29/0 \| 提交时间：2020/01/18
	GaNFET作为用于快速激光脉冲发生器的储能器专利 OAI收割专利号: CN109863654A, 申请日期: 2019-06-07, 公开日期: 2019-06-07 作者: B.加森德; P-Y.德罗兹 \| 收藏 \| 浏览/下载：17/0 \| 提交时间：2019/12/30
	Ⅲ-Ⅴ族半导体材料及AlGaN/GaN HEMT器件辐照效应研究学位论文 OAI收割中国科学院大学: 中国科学院大学(中国科学院近代物理研究所), 2019 作者: 胡培培 \| 收藏 \| 浏览/下载：76/0 \| 提交时间：2019/11/21
	单根氧化锌微米线基异质结发光二极管研究学位论文 OAI收割中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2019 作者: 刘洋 \| 收藏 \| 浏览/下载：51/0 \| 提交时间：2020/08/24 氧化锌微米线紫外发光二极管电致发光可调谐发光
	全无机钙钛矿CVD制备方法及光电器件的研制学位论文 OAI收割中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2019 作者: 田灿灿 \| 收藏 \| 浏览/下载：39/0 \| 提交时间：2020/08/24 化学气相沉积全无机钙钛矿光电探测器自驱动热稳定性 p-i-n结构 Schottky接触
	AlN材料中缺陷调控及物性研究学位论文 OAI收割中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2019 作者: 贲建伟 \| 收藏 \| 浏览/下载：100/0 \| 提交时间：2020/08/24 AlN 表面/界面 MOCVD 高温热处理折射率
	一种双光路脉冲激光在Si（100）基片上沉积InGaN薄膜的方法专利 OAI收割专利号: CN109830429A, 申请日期: 2019-05-31, 公开日期: 2019-05-31 作者: 陆珊珊; 刘宇伦 \| 收藏 \| 浏览/下载：21/0 \| 提交时间：2019/12/30
	GaN基垂直型功率晶体管结构和关键技术研究学位论文 OAI收割 : 中国科学院大学, 2019 作者: 王元琨 \| 收藏 \| 浏览/下载：21/0 \| 提交时间：2019/09/04
	硅/石墨烯复合衬底上外延生长GaN纳米柱及制备方法专利 OAI收割专利号: CN109003888A, 申请日期: 2018-12-14, 公开日期: 2018-12-14 作者: 李国强; 高芳亮; 余粤锋; 徐珍珠 \| 收藏 \| 浏览/下载：11/0 \| 提交时间：2020/01/18