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Fast and Broadband Photoresponse of a Few-Layer GeSe Field-Effect Transistor with Direct Band Gaps
期刊论文
OAI收割
ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2019, 卷号: 11, 期号: 41, 页码: 38031-38038
作者:
Zhao, Hongquan
;
Yang, Yuhui
;
Wang, Chunxiang
;
Zhou, Dahua
;
Shi, Xuan
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提交时间:2020/08/24
few-layer GeSe
field-effect transistors
photoresponse time
broadband photoresponse
direct band gaps
ambipolar behavior
Toxic gases molecules (NH3, SO2 and NO2) adsorption on GeSe monolayer with point defects engineering
期刊论文
OAI收割
CHEMICAL PHYSICS LETTERS, 2018, 卷号: 706, 页码: 501-508
作者:
Mao, Yuliang
;
Long, Linbo
;
Yuan, Jianmei
;
Zhong, Jianxin
;
Zhao, Hongquan
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2018/09/25
Monolayer Gese
Point Defect
First-principles
Work Function
Band Structure and Photoelectric Characterization of GeSe Monolayers
期刊论文
OAI收割
ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, 2018, 卷号: 28, 期号: 6, 页码: 10
作者:
Zhao, Hongquan
;
Mao, Yuliang
;
Mao, Xin
;
Shi, Xuan
;
Xu, Congshen
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提交时间:2018/06/04
band structures
GeSe monolayers
photoelectric devices
semiconductors
Electrical contacts and tunable rectifications in monolayer GeSe-metal junctions
期刊论文
OAI收割
Journal of Physics D: Applied Physics, 2018, 卷号: 51, 期号: 33, 页码: 335104
作者:
Zhi-Qiang Fan
;
Jiezhi Chen
;
Xiangwei Jiang
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提交时间:2019/11/18
First-principles study on the electronic, optical, and transport properties of monolayer alpha- and beta-GeSe
期刊论文
OAI收割
PHYSICAL REVIEW B, 2017, 卷号: 96, 期号: 24
作者:
Li, Jing
;
Ni, Gang
;
Shao, Hezhu
;
Zhang, Hao
;
Lu, Hongliang
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提交时间:2018/12/04
Carrier Mobility
Theoretical Prediction
Thermal-conductivity
Black Phosphorus
Hole Mobility
Graphene
Carbon
Semiconductor
Localization
Nanoribbons
Diverse anisotropy of phonon transport in two-dimensional group iv-vi compounds: a comparative study
期刊论文
iSwitch采集
Nanoscale, 2016, 卷号: 8, 期号: 21, 页码: 11306-11319
作者:
Qin, Guangzhao
;
Qin, Zhenzhen
;
Fang, Wu-Zhang
;
Zhang, Li-Chuan
;
Yue, Sheng-Ying
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提交时间:2019/05/09