机构

• 半导体研究所 [2]
• 新疆理化技术研究所 [1]
• 西安光学精密机械研究... [1]
• 工程热物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 期刊论文 [4]
• 专利 [1]

发表日期

• 2011 [1]
• 2009 [1]
• 2006 [1]
• 2004 [1]
• 1989 [1]

学科主题

• Physics [1]
• 半导体材料 [1]
• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Large "near junction" thermal resistance reduction in electronics by interface nanoengineering 期刊论文  OAI收割 INTERNATIONAL JOURNAL OF HEAT AND MASS TRANSFER, 2011, 卷号: 54, 期号: 25-26, 页码: 5183-5191 作者:  Hu, Ming;  Zhang, Xiaoliang;  Poulikakos, Dimos;  Grigoropoulos, Costas P. 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2015/12/18 Electronics cooling  Near transistor junction  Interfacial thermal resistance  Molecular dynamics   ELDRS and dose-rate dependence of vertical NPN transistor 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS C, 2009, 卷号: 33, 期号: 1, 页码: 47-49 作者:  Zheng Yu-Zhan;  Lu Wu;  Ren Di-Yuan;  Wang Gai-Li;  Yu Xue-Feng 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/11/29 bipolar junction transistor  ELDRS effect  dose-rate dependence   Interdot interaction induced zero-bias maximum of the differential conductance in parallel double quantum dots 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 4, 页码: art.no.043705 Chi F; Li SS 收藏  |  浏览/下载：93/0  |  提交时间：2010/04/11 AHARONOV-BOHM INTERFEROMETER  SINGLE-ELECTRON TRANSISTOR  COULOMB-BLOCKADE  ANDERSON MODEL  MAGNETIC-FLUX  KONDO REGIME  TRANSPORT  EQUILIBRIUM  DEVICES   Dislocation scattering in a two-dimensional electron gas of an AlxGa1-xN/GaN heterostructure 期刊论文  OAI收割 physica status solidi b-basic research, 2004, 卷号: 241, 期号: 13, 页码: 3000-3008 作者:  Han XX;  Li DB 收藏  |  浏览/下载：117/32  |  提交时间：2010/03/09 FIELD-EFFECT TRANSISTORS   Photo laser transistor 专利  OAI收割 专利号: JP1989108791A, 申请日期: 1989-04-26, 公开日期: 1989-04-26 作者:  HARUTOMUUTO BURUKUHARUTO;  KURAUSUDEIITAA MIYUURUBAUERU   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/31