机构

• 合肥物质科学研究院 [1]

采集方式

• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2023 [1]

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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Simulation study on single-event burnout in field-plated Ga2O3 MOSFETs 期刊论文  OAI收割 MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2023, 卷号: 149 作者:  Yu, Cheng-hao;  Guo, Hao-min;  Liu, Yan;  Wu, Xiao-dong;  Zhang, Li-long   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2023/11/10 Depletion-mode  Single-event burnout (SEB)  Single-event gate rupture