机构

• 半导体研究所 [14]
• 物理研究所 [5]
• 金属研究所 [4]

采集方式

• OAI收割 [18]
• iSwitch采集 [5]

内容类型

• 期刊论文 [23]

发表日期

• 2013 [1]
• 2009 [4]
• 2007 [4]
• 2006 [3]
• 2003 [1]
• 1999 [3]
• 更多

学科主题

• 半导体物理 [6]
• 半导体材料 [2]
• 半导体化学 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共23条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Surface morphology and crystallographic properties of GaAs films grown by the MBE process on vicinal Si(001) substrates 期刊论文  OAI收割 russian physics journal, Russian Physics Journal, 2013, 2013, 卷号: 56, 56, 期号: 1, 页码: 55-61, 55-61 作者:  Emelyanov, E. A.;  Kokhanenko, A. P.;  Pchelyakov, O. P.;  Loshkarev, I. D.;  Seleznev, V. A.   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2014/03/26 Distribution of dislocations in gasb and insb epilayers grown on gaas (001) vicinal substrates 期刊论文  iSwitch采集 Journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 9, 页码: 4 作者:  Li, Meicheng;  Qiu, Yongxin;  Liu, Guojun;  Wang, Yutian;  Zhang, Baoshun 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Shape stability of inas self-assembled islands on vicinal gaas(001) substrates 期刊论文  iSwitch采集 Chemical physics letters, 2009, 卷号: 468, 期号: 4-6, 页码: 249-252 作者:  Liang, S.;  Zhu, H. L.;  Wang, W. 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 Distribution of dislocations in GaSb and InSb epilayers grown on GaAs (001) vicinal substrates 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 9, 页码: art. no. 094903 Li MC; Qiu YX; Liu GJ; Wang YT; Zhang BS; Zhao LC 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/03/08 X-RAY-DIFFRACTION  MOLECULAR-BEAM-EPITAXY  FILMS  MISFIT   Shape stability of InAs self-assembled islands on vicinal GaAs(001) substrates 期刊论文  OAI收割 chemical physics letters, 2009, 卷号: 468, 期号: 4-6, 页码: 249-252 作者:  Liang S 收藏  |  浏览/下载：120/25  |  提交时间：2010/03/08 QUANTUM-DOTS  TRANSITION  GAAS(100)  GROWTH  GAAS   Investigation of gasb epilayer grown on vicinal gaas(001) substrate by high resolution x-ray diffraction 期刊论文  iSwitch采集 Physica scripta, 2007, 卷号: T129, 页码: 27-30 作者:  Qiu, Yongxin;  Li, Meicheng;  Wang, Yutian;  Zhang, Baoshun 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 Effect of the growth mode on the two- to three-dimensional transition of inas grown on vicinal gaas(001) substrates 期刊论文  iSwitch采集 Nanotechnology, 2007, 卷号: 18, 期号: 26, 页码: 4 作者:  Wu, J.;  Jiao, Y. H.;  Jin, P.;  Lv, X. J.;  Wang, Z. G. 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Investigation of GaSb epilayer grown on vicinal GaAs(001) substrate by high resolution x-ray diffraction 期刊论文  OAI收割 physica scripta, 2007, 卷号: t129, 页码: 27-30 Qiu, YX; Li, MC; Wang, YT; Zhang, BS; Wang, Y; Liu, GJ; Zhao, LC 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/03/08 FILMS   Effect of the growth mode on the two- to three-dimensional transition of InAs grown on vicinal GaAs(001) substrates 期刊论文  OAI收割 nanotechnology, 2007, 卷号: 18, 期号: 26, 页码: art.no.265304 作者:  Jin P 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/03/29 ASSEMBLED QUANTUM DOTS   Molecular beam epitaxy inas dot arrays on ingaas/gaas 期刊论文  iSwitch采集 Nanotechnology, 2006, 卷号: 17, 期号: 23, 页码: 5846-5850 作者:  Jiao, Y. H.;  Wu, J.;  Xu, B.;  Jin, P.;  Hu, L. J. 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12