中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
合肥物质科学研究院 [8]
福建物质结构研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [9]
内容类型
期刊论文 [7]
学位论文 [2]
发表日期
2018 [2]
2011 [1]
2010 [2]
2009 [2]
2008 [2]
学科主题
应用光学技术::光学... [4]
筛选
浏览/检索结果:
共9条,第1-9条
帮助
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
提交时间升序
提交时间降序
发表日期升序
发表日期降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
Pressure-Assisted Method for the Preparations of High-Quality AaGaS(2) and AgGaGeS4 Crystals for Mid-Infrared Laser Applications
期刊论文
OAI收割
INORGANIC CHEMISTRY, 2018, 卷号: 57, 期号: 23, 页码: 14866-14871
作者:
Huang, Changbao
;
Mao, Mingsheng
;
Wu, Haixin
;
Ma, Jiaren
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:64/0
  |  
提交时间:2019/12/25
高压辅助法制备红外非线性AgGaGe5Se(12)、AgGaGeS4晶体
期刊论文
OAI收割
人工晶体学报, 2018, 卷号: 047
作者:
马佳仁
;
黄昌保
;
倪友保
;
吴海信
;
王振友
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:21/0
  |  
提交时间:2020/11/25
AgGaGe5Se12
AgGaGeS4
中远红外激光
高压辅助法
Contribution of Disulfide S(2)(2-) Anions to the Crystal and Electronic Structures in Ternary Sulfides, Ba(12)In(4)S(19), Ba(4)M(2)S(8) (M = Ga, In)
期刊论文
OAI收割
Inorganic Chemistry, 2011, 卷号: 50, 期号: 12, 页码: 5706-5713
J. W. Liu
;
P. Wang
;
L. Chen
收藏
  |  
浏览/下载:27/0
  |  
提交时间:2012/06/06
nonlinear-optical applications
single-crystals
mid-ir
se
pseudopotentials
aggages4
aggas2
pr
nd
ce
AgGaGeS4 晶体生长及性能研究
期刊论文
OAI收割
人 工 晶 体 学 报, 2010, 卷号: 39, 期号: 1
作者:
王振友
;
倪友保
;
毛明生
收藏
  |  
浏览/下载:73/0
  |  
提交时间:2011/09/27
AgGaGeS4晶体生长及性能研究
期刊论文
OAI收割
人工晶体学报, 2010, 卷号: 039
-
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1/0
  |  
提交时间:2020/10/26
AgGaGeS4晶体
布里奇曼法
倍频
损伤阈值
大尺寸红外非线性晶体AgGaGeS4制备及其性能研究
学位论文
OAI收割
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2009
作者:
王振友
收藏
  |  
浏览/下载:6/0
  |  
提交时间:2013/10/10
AgGaGeS4晶体介电性能的初步探讨
期刊论文
OAI收割
人工晶体学报, 2009, 卷号: 38, 期号: 5
作者:
王振友
;
倪友保
;
毛明生
收藏
  |  
浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2012/07/13
红外非线性晶体AgGaGeS4制备及其相位匹配研究
学位论文
OAI收割
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2008
耿磊
收藏
  |  
浏览/下载:7/0
  |  
提交时间:2013/09/26
红外非线性光学晶体材料AgGaGeS4激光实验参数的模拟计算
期刊论文
OAI收割
人工晶体学报, 2008, 卷号: 037
作者:
倪友保
;
吴海信
;
耿磊
;
王振友
;
黄飞
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2020/11/23
红外非线性晶体
AgGaGeS4
OPO
允许角