机构

• 合肥物质科学研究院 [1]

采集方式

• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2022 [1]

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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Influence of doubly-hydrogenated oxygen vacancy on the TID effect of MOS devices 期刊论文  OAI收割 FRONTIERS IN MATERIALS, 2022, 卷号: 9 作者:  Lu, Guangbao;  Liu, Jun;  Zheng, Qirong;  Li, Yonggang   |  收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2022/12/23 total ionizing dose effect  dynamic modeling  doubly-hydrogenated oxygen vacancy  microscopic mechanism  MOS devices