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• 微电子研究所 [1]
• 高能物理研究所 [1]

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• OAI收割 [2]

内容类型

• 专利 [1]
• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2022 [1]
• 2017 [1]

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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Impact of incident direction on neutron-induced single-bit and multiple-cell upsets in 14 nm FinFET and 65 nm planar SRAMs 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2022, 卷号: 31, 期号: 12, 页码: 126103 作者:  Yang, SH;  Zhang, ZG;  Lei, ZF;  Huang, Y;  Xi, K   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2023/11/09 neutron  fin field-effect transistor (FinFET)  single event upset (SEU)  Monte-Carlo simulation   鳍式场效应晶体管及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: US9679962, 申请日期: 2017-06-13, 公开日期: 2016-06-30 作者:  朱慧珑;  许淼;  赵利川   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2018/07/18