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机构
半导体研究所 [6]
采集方式
iSwitch采集 [6]
内容类型
期刊论文 [6]
发表日期
2011 [1]
2009 [1]
2007 [1]
2006 [1]
2001 [1]
1992 [1]
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共6条,第1-6条
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存缴方式:iswitch
专题:半导体研究所
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5
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Synthesis, morphology and growth mechanism of brush-like zno nanostructures
期刊论文
iSwitch采集
Applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 6, 页码: 2097-2101
作者:
Wang, Jie
;
Zhuang, Huizhao
;
Li, Junlin
;
Xu, Peng
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提交时间:2019/05/12
Zinc oxide
Growth model
Characterization
Single crystal growth
Nanomaterials
A study on a two-step technique of growing ga2o3/zno films ammoniated at different temperatures
期刊论文
iSwitch采集
Physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2009, 卷号: 41, 期号: 3, 页码: 460-464
作者:
Xue, Shoubin
;
Zhang, Xing
;
Huang, Ru
;
Zhuang, Huizhao
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2019/05/12
Nanostructures
Gallium nitride
Semiconductors
Nanofabrications
Frequency mixing and phase detection functionalities of three-terminal ballistic junctions
期刊论文
iSwitch采集
Nanotechnology, 2007, 卷号: 18, 期号: 19, 页码: 6
作者:
Sun, Jie
;
Wallin, Daniel
;
Brusheim, Patrik
;
Maximov, Ivan
;
Wang, Z. G.
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/05/12
Enhanced photoresponse from the ordered microstructure of naphthalocyanine-carbon nanotube composite film
期刊论文
iSwitch采集
Nanotechnology, 2006, 卷号: 17, 期号: 13, 页码: 3274-3279
作者:
Feng, W
;
Li, Y
;
Feng, YY
;
Wu, J
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/05/12
Carbonization process of si(100) by ion-beam bombardment
期刊论文
iSwitch采集
Journal of crystal growth, 2001, 卷号: 233, 期号: 3, 页码: 446-450
作者:
Liao, MY
;
Chai, CL
;
Yao, ZY
;
Yang, SY
;
Liu, ZK
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2019/05/12
Diffusion
Growth models
Ion bombardment
Reflection high energy electron diffraction
Physical vapor phase deposition
Semiconducting silicon compounds
Cbe growth of gaas/gaas, gaas/si and algaas/gaas using teg, ash3 and amine-alane precursors
期刊论文
iSwitch采集
Journal of crystal growth, 1992, 卷号: 120, 期号: 1-4, 页码: 206-211
作者:
JOYCE, TB
;
BULLOUGH, TJ
;
KIGHTLEY, P
;
KIELY, CJ
;
XING, YR
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提交时间:2019/05/12