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Effect of p-GaN layer thickness on the performance of p-i-n structure GaN ultraviolet photodetectors 期刊论文  OAI收割
acta physica sinica, 2008, 卷号: 57, 期号: 7, 页码: 4570-4574
Zhou, M; Zhao, DG
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Studies of 6H-SiC devices 会议论文  OAI收割
korea-china joint symposium on smiconductor physics and device applications, seoul, south korea, dec 05-09, 2001
Wang SR; Liu ZL
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