机构

• 半导体研究所 [4]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2009 [4]

学科主题

• 光电子学 [4]

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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2009    学科主题：光电子学     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Kinetically controlled InN nucleation on GaN templates by metalorganic chemical vapour deposition 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 14, 页码: art. no. 145410 作者:  Zhang SM;  Yang H;  Yang H;  Wang YT;  Zhu JJ 收藏  |  浏览/下载：72/0  |  提交时间：2010/03/08 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  PHASE EPITAXY  QUANTUM DOTS  BAND-GAP  GROWTH  SURFACES   The influence of growth temperature and input V/III ratio on the initial nucleation and material properties of InN on GaN by MOCVD 期刊论文  OAI收割 semiconductor science and technology, 2009, 卷号: 24, 期号: 5, 页码: art. no. 055001 作者:  Yang H;  Jiang DS;  Zhao DG;  Zhang SM;  Yang H 收藏  |  浏览/下载：88/41  |  提交时间：2010/03/08 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ELECTRON-TRANSPORT  BAND-GAP  FILMS  SAPPHIRE   Strain-induced anodization of SiGe/Si multiple layers to form high density SiGe/Si heterogeneous nanorods 期刊论文  OAI收割 solid state communications, 2009, 卷号: 149, 期号: 43-44, 页码: 1897-1901 Zhou B; Pan SW; Chen R; Chen SY; Li C; Lai HK; Yu; JZ; Zhu XF 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2010/04/04 Strain-induced  Electrochemical anodization  Silicon germanium  Heterogeneous nanostructures  POROUS SILICON LAYER  VISIBLE PHOTOLUMINESCENCE  SURFACE-MORPHOLOGY  THIN-FILMS  SI  GERMANIUM  SUPERLATTICES  NANOCRYSTALS  RELAXATION  GROWTH   Zero biased Ge-on-Si photodetector with a bandwidth of 4.72 GHz at 1550 nm 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2009, 卷号: 18, 期号: 6, 页码: 2542-2544 作者:  Xue CL 收藏  |  浏览/下载：64/0  |  提交时间：2010/03/08 Si-based  Ge  epitaxy  photodetector