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  • 西安光学精密机械研究... [4]
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  • 2009 [4]
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基于Al2O3衬底的GaN薄膜的生长方法 专利  OAI收割
专利号: CN100492592C, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 2009-05-27
作者:  
郝跃;  倪金玉;  张进成
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面阵式激光雷达探测芯片的设计与制作 学位论文  OAI收割
硕士: 中国科学院西安光学精密机械研究所., 2009
作者:  
尹飞
收藏  |  浏览/下载:46/0  |  提交时间:2011/10/09
低压MOCVD生长参量对Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料表面形貌的影响 期刊论文  OAI收割
光子学报, 2009, 卷号: 38, 期号: 8, 页码: 1937-1940
作者:  
尹飞
收藏  |  浏览/下载:323/23  |  提交时间:2010/01/18
Growth and characterization of InAsSb alloys by metalorganic chemical vapour deposition 期刊论文  OAI收割
chinese physics b, 2009, 卷号: 18, 期号: 1, 页码: 320-323
作者:  
Yan Jun-Feng;  Wang Tao;  Wang Jing-Wei;  Zhang Zhi-Yong;  Zhao Wu
收藏  |  浏览/下载:206/7  |  提交时间:2010/01/12