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机构
半导体研究所 [4]
采集方式
OAI收割 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2017 [4]
学科主题
半导体材料 [4]
半导体物理 [1]
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浏览/检索结果:
共4条,第1-4条
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限定条件
学科主题:半导体材料
发表日期:2017
条数/页:
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Anomalous temperature dependence of photoluminescence spectra from InAs/GaAs quantum dots grown by formation–dissolution–regrowth method
期刊论文
OAI收割
中国物理B, 2017, 卷号: 26, 期号: 6, 页码: 068102
杨冠卿
;
张世著
;
徐波
;
陈涌海
;
王占国
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Temperature dependence of photogalvanic effect in GaAs/AlGaAs two-dimensional electron gas at interband and intersubband excitation
期刊论文
OAI收割
Journal of Applied Physics, 2017, 卷号: 121, 页码: 193901
作者:
X. L. Zeng
;
J. L. Yu
;
S. Y. Cheng
;
Y. F. Lai, Y. H. Chen
;
W. Huang
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Angular Dependence of the Spin Photocurrent in a Co−Fe−B/MgO/n−i−p GaAs Quantum-Well Structure
期刊论文
OAI收割
PHYSICAL REVIEW APPLIED, 2017, 卷号: 8, 页码: 064022
作者:
Laipan Zhu
;
Wei Huang
;
Pierre Renucci
;
Xavier Marie
;
Yu Liu
收藏
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Bias Dependence of the Electrical Spin Injection into GaAs from Co-Fe-B=MgO Injectors with Different MgO Growth Processes
期刊论文
OAI收割
PHYSICAL REVIEW APPLIED, 2017, 卷号: 8, 页码: 054027
作者:
P. Barate
;
S. H. Liang
;
T. T. Zhang
;
J. Frougier
;
B. Xu
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