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机构
半导体研究所 [4]
采集方式
OAI收割 [4]
内容类型
学位论文 [3]
期刊论文 [1]
发表日期
2016 [4]
学科主题
半导体材料 [4]
半导体器件 [1]
半导体物理 [1]
筛选
浏览/检索结果:
共4条,第1-4条
帮助
限定条件
学科主题:半导体材料
发表日期:2016
条数/页:
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Si基InAsSb纳米线MOCVD生长及机理研究
学位论文
OAI收割
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
杜文娜
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2016/05/31
InAsSb纳米线
生长机制
平面纳米线
纳米线阵列
金属有机化学气相沉积
GaN HEMT 基础问题研究
学位论文
OAI收割
博士, 北京: 中国科学院大学, 2016
何晓光
收藏
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浏览/下载:53/0
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提交时间:2016/06/02
GaN
HEMT
2DEG
MOCVD
高阻
石墨烯在外延Ⅲ族氮化物中的应用研究
学位论文
OAI收割
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
曾清
收藏
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浏览/下载:18/0
  |  
提交时间:2016/05/31
石墨烯+APCVD+III 族氮化物+MOCVD
Selective-Area MOCVD Growth and Carrier-Transport-Type Control of InAs(Sb)/GaSb Core-Shell Nanowires
期刊论文
OAI收割
nano letters, 2016, 卷号: 16, 期号: 12, 页码: 7580-7587
Xianghai Ji
;
Xiaoguang Yang
;
Wenna Du
;
Huayong Pan
;
Tao Yang
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2017/03/10