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机构
半导体研究所 [4]
采集方式
OAI收割 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2011 [4]
学科主题
半导体材料 [4]
筛选
浏览/检索结果:
共4条,第1-4条
帮助
限定条件
学科主题:半导体材料
发表日期:2011
条数/页:
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Temperature Compensation for Threshold Current and Slope Efficiency of 1.3 mu m InAs/GaAs Quantum-Dot Lasers by Facet Coating Design
期刊论文
OAI收割
chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: article no.44201
作者:
Cao YL
;
Yang T
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2011/07/05
WELL LASERS
DEPENDENCE
DIODE
GAIN
A high-power tapered and cascaded active multimode interferometer semiconductor laser diode
期刊论文
OAI收割
journal of semiconductors, 2011, 卷号: 32, 期号: 5, 页码: 54007
Lai, Weijiang
;
Cheng, Yuanbing
;
Yao, Chen
;
Zhou, Daibing
;
Bian, Jing
;
Zhao, Lingjuan
;
Wu, Jian
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2012/06/14
Diodes
High power lasers
Interferometers
Power electronics
Semiconductor diodes
Broadband tunable external cavity laser using a bent-waveguide quantum-dot superluminescent diode as gain device
期刊论文
OAI收割
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: art. no. 064202
作者:
Jin P
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浏览/下载:43/4
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提交时间:2011/07/15
LIGHT-EMITTING-DIODES
OPTICAL-PROPERTIES
TUNING RANGE
NM
EMISSION
SPECTRUM
SPECTROSCOPY
Optimized growth of p-type AlGaN electron blocking layer in the GaN-based LED
期刊论文
OAI收割
acta physica sinica, ACTA PHYSICA SINICA, 2011, 2011, 卷号: 60, 60, 期号: 1, 页码: article no.16108, Article no.16108
作者:
Wang B
;
Li ZC
;
Yao R
;
Liang M
;
Yan FW
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浏览/下载:93/5
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提交时间:2011/07/05
GaN-based
LED
Al composition
electron blocking layer
TEMPERATURE
ALLOYS
MOVPE
Gan-based
Led
Al Composition
Electron Blocking Layer
Temperature
Alloys
Movpe