机构

• 半导体研究所 [3]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2007 [3]

学科主题

• 半导体物理 [3]

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理    发表日期：2007     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 1-mm gate periphery AlGaN/AIN/GaN HEMTs on SiC with output power of 9.39 W at 8 GHz 期刊论文  OAI收割 solid-state electronics, 2007, 卷号: 51, 期号: 3, 页码: 428-432 Wang XL; Cheng TS; Ma ZY; Hu G; Xiao HL; Ran JX; Wang CM; Luo WJ 收藏  |  浏览/下载：95/0  |  提交时间：2010/03/29 AlGaN/GaN   A comparison between AlN films grown by MOCVD using dimethylethylamine alane and trimethylaluminium as the aluminium precursors 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2007, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 516-518 Hu, WG (Hu Wei-Guo); Liu, XL (Liu Xiang-Lin); Zhang, PF (Zhang Pan-Feng); Zhao, FA (Zhao Feng-Ai); Jiao, CM (Jiao Chun-Mei); Wei, HY (Wei Hong-Yuan); Zhang, RQ (Zhang Ri-Qing); Wu, JJ (Wu Jie-Jun); Cong, GW (Cong Guang-Wei); Pan, Y (Pan Yi) 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/03/29 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION   MBE growth of very short period InAs/GaSb type-II superlattices on (001) GaAs substrates 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2007, 卷号: 40, 期号: 21, 页码: 6690-6693 Hao RT (Hao Ruiting); Xu YQ (Xu Yingqiang); Zhou ZQ (Zhou Zhiqiang); Ren ZW (Ren Zhengwei); Ni HQ (Ni Haiqiao); He ZH (He Zhenhong); Niu ZC (Niu Zhichuan) 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2010/03/29 MOLECULAR-BEAM EPITAXY