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机构
微电子研究所 [9]
采集方式
OAI收割 [9]
内容类型
专利 [9]
发表日期
2018 [3]
2017 [1]
2016 [2]
2014 [3]
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浏览/检索结果:
共9条,第1-9条
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内容类型:专利
专题:微电子研究所
第一署名单位
第一作者单位
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一种半导体器件的制造方法
专利
OAI收割
专利号: US10115804, 申请日期: 2018-10-30, 公开日期: 2015-11-12
作者:
王桂磊
;
李俊峰
;
刘金彪
;
赵超
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  |  
一种制备钛铝合金薄膜的方法
专利
OAI收割
专利号: US9954071, 申请日期: 2018-04-24, 公开日期: 2017-04-13
作者:
丁玉强
;
赵超
;
项金娟
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  |  
堆叠纳米线MOS晶体管制作方法
专利
OAI收割
专利号: US9892912, 申请日期: 2018-02-13, 公开日期: 2015-08-13
作者:
殷华湘
;
秦长亮
;
付作振
;
马小龙
;
陈大鹏
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  |  
半导体器件的制造方法
专利
OAI收割
专利号: US9773707, 申请日期: 2017-09-26, 公开日期: 2016-12-29
作者:
赵超
;
李俊峰
;
刘金彪
;
王桂磊
;
高建峰
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收藏
  |  
半导体器件制造方法
专利
OAI收割
专利号: US9412657, 申请日期: 2016-08-09, 公开日期: 2016-06-09
作者:
赵超
;
朱慧珑
;
钟汇才
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  |  
CMOS器件及其制造方法
专利
OAI收割
专利号: US9373622, 申请日期: 2016-06-21, 公开日期: 2016-03-24
作者:
杨红
;
张青竹
;
徐秋霞
;
殷华湘
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收藏
  |  
半导体器件及其制作方法
专利
OAI收割
专利号: US8828840, 申请日期: 2014-09-09, 公开日期: 2012-07-19
作者:
朱慧珑
;
骆志炯
;
尹海洲
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收藏
  |  
半导体器件及其制造方法
专利
OAI收割
专利号: US8779475, 申请日期: 2014-07-15, 公开日期: 2012-12-27
作者:
赵超
;
王桂磊
;
李春龙
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收藏
  |  
半导体器件及其制造方法
专利
OAI收割
专利号: US8703567, 申请日期: 2014-04-22, 公开日期: 2012-12-27
作者:
李春龙
;
王桂磊
;
赵超
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