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半导体研究所 [8]
采集方式
OAI收割 [5]
iSwitch采集 [3]
内容类型
期刊论文 [8]
发表日期
2009 [2]
2006 [1]
2005 [2]
1999 [3]
学科主题
半导体物理 [4]
光电子学 [1]
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浏览/检索结果:
共8条,第1-8条
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限定条件
内容类型:期刊论文
专题:半导体研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
条数/页:
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80
85
90
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Weak measurement of qubit oscillations with strong response detectors: violation of the fundamental bound imposed on linear detectors
期刊论文
iSwitch采集
Physical review b, 2009, 卷号: 79, 期号: 7, 页码: 5
作者:
Jiao, HuJun
;
Li, Feng
;
Wang, Shi-Kuan
;
Li, Xin-Qi
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2019/05/12
Mesoscopic systems
Photodetectors
Quantum computing
Single electron transistors
Weak measurement of qubit oscillations with strong response detectors: Violation of the fundamental bound imposed on linear detectors
期刊论文
OAI收割
physical review b, 2009, 卷号: 79, 期号: 7, 页码: art. no. 075320
Jiao HJ
;
Li F
;
Wang SK
;
Li XQ
收藏
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浏览/下载:371/122
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提交时间:2010/03/08
mesoscopic systems
photodetectors
quantum computing
single electron transistors
Liquid-phase-epitaxy-grown InAsxSb1-x/GaAs for room-temperature 8-12 mu m infrared detectors
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 24, 页码: art.no.242108
作者:
Zhang XW
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2010/04/11
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
ENERGY-GAP
100 GAAS
INASSB
INAS1-XSBX
ALLOYS
INSB
TRANSPORT
LAYERS
Frequency dependence of junction capacitance of gan p-i-n uv detectors
期刊论文
iSwitch采集
Solid-state electronics, 2005, 卷号: 49, 期号: 7, 页码: 1135-1139
作者:
Kang, Y
;
Xu, YH
;
Zhao, DG
;
Fang, JX
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2019/05/12
Capacitance-frequency characteristics
Deep level
Gan
Uv detector
Frequency dependence of junction capacitance of GaN p-i-n UV detectors
期刊论文
OAI收割
solid-state electronics, 2005, 卷号: 49, 期号: 7, 页码: 1135-1139
作者:
Zhao DG
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浏览/下载:55/35
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提交时间:2010/03/17
capacitance-frequency characteristics
Structural and photoelectric studies on double barrier quantum well infrared detectors
期刊论文
iSwitch采集
Solid-state electronics, 1999, 卷号: 43, 期号: 4, 页码: 723-727
作者:
Wu, WG
;
Jiang, DS
;
Cui, LQ
;
Song, CY
;
Zhuang, Y
收藏
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2019/05/12
First charge collection and position-precision data on the medium-resistivity silicon strip detectors before and after neutron irradiation up to 2x10(14) n/cm(2)
期刊论文
OAI收割
nuclear instruments & methods in physics research section a-accelerators spectrometers detectors and associated equipment, 1999, 卷号: 426, 期号: 1, 页码: 38-46
Li Z
;
Dezilllie B
;
Eremin V
;
Li CJ
;
Verbitskaya E
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2010/08/12
strip detectors
silicon detectors
annealing
simulation
irradiation
JUNCTION DETECTORS
RADIATION-DAMAGE
MODELS
N-EFF
Structural and photoelectric studies on double barrier quantum well infrared detectors
期刊论文
OAI收割
solid-state electronics, 1999, 卷号: 43, 期号: 4, 页码: 723-727
作者:
Jiang DS
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浏览/下载:56/0
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提交时间:2010/08/12
PHOTODETECTOR