中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
上海技术物理研究所 [32]
采集方式
OAI收割 [32]
内容类型
学位论文 [32]
发表日期
2014 [3]
2012 [2]
2011 [3]
2010 [6]
2009 [3]
2008 [4]
更多
学科主题
红外基础研究 [17]
红外系统与元部件 [7]
红外探测材料与器件 [5]
筛选
浏览/检索结果:
共32条,第1-10条
帮助
限定条件
专题:上海技术物理研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
内容类型:学位论文
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
提交时间升序
提交时间降序
发表日期升序
发表日期降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
硅基高迁移率III-V族半导体材料与晶体管研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2014
-
收藏
  |  
浏览/下载:296/0
  |  
提交时间:2016/11/06
III-V族半导体
硅基
MOCVD
场效应晶体管
Ge表面
9W@80K级大冷量同轴型脉冲管制冷机的研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2014
-
收藏
  |  
浏览/下载:66/0
  |  
提交时间:2016/05/16
大冷量
同轴型
脉冲管制冷机
效率
全固态Tm:YAG激光器的脉冲管制冷机冷却技术研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2014
-
收藏
  |  
浏览/下载:111/0
  |  
提交时间:2016/05/16
脉冲管制冷机
低温
Tm:YAG激光器
全固态
InAsSb长波红外薄膜材料的LPE生长及特性研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2012
作者:
孙常鸿
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2012/09/11
Inasxsb1-x
液相外延
退火
长波红外
结晶质量
掺杂碲镉汞的光致发光光谱研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2012
作者:
张小华
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:18/0
  |  
提交时间:2012/09/11
掺砷碲镉汞
光致发光
红外
杂质
液相外延
HgMnTe窄禁带磁性半导体和GaInP多量子阱的磁光电性质研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2011
作者:
朱亮清
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2012/09/11
Hgmnte磁性半导体
Fuorier变换红外光谱
Kp微扰理论
束缚磁极化子
Gainp应变量子阱
碲镉汞薄膜及InAs/GaAs量子点红外调制光谱研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2011
作者:
马丽丽
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2012/08/22
碲镉汞
Inas自组织量子点
光致发光谱
调制反射光谱
光谱分辨率
InSb基窄带半导体薄膜的分子束外延和光电特性研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2011
作者:
张燕辉
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2012/09/11
分子束外延
Insb
Inassb
Innsb
反弱局域效应
星载长波红外低温光学系统研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2010
作者:
丁学专
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2012/09/11
低温光学
长波红外
背景辐射
BiFeO3薄膜的制备和掺杂及其电学、磁学和光学性质的研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2010
作者:
高成
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:29/0
  |  
提交时间:2012/08/22
多铁材料
铁电
磁性
光学响应