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  • 2017 [12]
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一种GaAs基垂直腔面发射激光器及其制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN107196187A, 申请日期: 2017-09-22, 公开日期: 2017-09-22
作者:  
杨亿斌;  李京波
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一种基于梯度叠层缓冲层薄膜的外延生长Alm<-sub>Ga1<-sub>‑m<-sub>N的方法 专利  OAI收割
专利号: CN106920739A, 申请日期: 2017-07-04, 公开日期: 2017-07-04
作者:  
郭炜;  叶继春;  黄峰;  李俊梅;  孟凡平
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生长在Si衬底上的InN纳米柱外延片 专利  OAI收割
专利号: CN206271710U, 申请日期: 2017-06-20, 公开日期: 2017-06-20
作者:  
李国强;  高芳亮;  温雷;  张曙光;  徐珍珠
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生长在Si衬底上的InN纳米柱外延片及其制备方法 专利  OAI收割
专利号: CN106783948A, 申请日期: 2017-05-31, 公开日期: 2017-05-31
作者:  
李国强;  高芳亮;  温雷;  张曙光;  徐珍珠
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AlN材料外延技术及其应用研究 学位论文  OAI收割
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2017
杜泽杰
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一种纳米图形衬底侧向外延硅基量子点激光器材料及其制备方法 专利  OAI收割
专利号: CN106480498A, 申请日期: 2017-03-08, 公开日期: 2017-03-08
作者:  
王俊;  胡海洋;  成卓;  樊宜冰;  马浩源
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50mm×50mm高性能HgCdTe液相外延材料的批生产技术 期刊论文  OAI收割
红外与毫米波学报, 2017, 期号: 1, 页码: 49-53
作者:  
孙权志;  孙瑞赟;  魏彦锋;  孙士文;  周昌鹤
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高熵合金与 Fe-Mn-Al 合金原子尺度非均质性的第一性原理计算 学位论文  OAI收割
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2017
作者:  
刘尚宇
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GH3535合金焊接热影响区组织演变及性能研究 学位论文  OAI收割
: 中国科学院研究生院(上海应用物理研究所), 2017
作者:  
陈双建
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镍及镍基合金的离子辐照效应研究 学位论文  OAI收割
: 中国科学院研究生院(上海应用物理研究所), 2017
作者:  
陈怀灿
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