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半导体研究所 [12]
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OAI收割 [12]
内容类型
期刊论文 [7]
学位论文 [5]
发表日期
2018 [1]
2016 [1]
2014 [1]
2012 [1]
2010 [1]
2005 [2]
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学科主题
半导体物理 [12]
半导体器件 [3]
半导体材料 [3]
光电子学 [2]
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共12条,第1-10条
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学科主题:半导体物理
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InGaN量子阱及薄膜材料特性研究
学位论文
OAI收割
北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:
刘炜
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提交时间:2018/06/20
Ingan
量子阱
薄膜
极化效应
局域态
本底载流子浓度
氮化物绿光发光材料的设计与性能研究
学位论文
OAI收割
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
任鹏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2016/05/30
氮化物
绿光LED
能带设计
局域态
激光器
纳米柱
Ⅲ族氮化物载流子局域特性研究
学位论文
OAI收割
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2014
李维
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2014/06/03
Ⅲ族氮化物
局域态
光致发光
时间分辨谱
量子非局域关联的研究
学位论文
OAI收割
博士, 北京, 北京: 中国科学院研究生院, 中国科学院研究生院, 2012, 2012
作者:
文伟
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2012/06/26
弱局域和Kondo 效应
学位论文
OAI收割
博士后, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
宋小会
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提交时间:2010/04/28
ZnS中Te等电子中心的时间分辨光谱研究
期刊论文
OAI收割
物理学报, 2005, 卷号: 54, 期号: 5, 页码: 2272-2276
杨旭东
;
徐仲英
;
罗向东
;
方再历
;
李国华
;
苏荫强
;
葛惟昆
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2010/11/23
GaNAs/GaAs中的激子局域化和发光特性
期刊论文
OAI收割
红外与毫米波学报, 2005, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 185-188
作者:
谭平恒
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浏览/下载:218/0
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提交时间:2010/11/23
快速热退火对GaInNAs/GaAs单量子阱反常温度特性研究
期刊论文
OAI收割
稀有金属, 2004, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: 582-584
作者:
江德生
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提交时间:2010/11/23
N,Sb和单分子层数对GaAs/GaInNAsSb超晶格性能的影响
期刊论文
OAI收割
物理学报, 2004, 卷号: 53, 期号: 5, 页码: 1474-1482
作者:
徐应强
;
牛智川
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2010/11/23
GaNAs的声子拉曼散射研究
期刊论文
OAI收割
红外与毫米波学报, 2001, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: 11
作者:
江德生
;
谭平恒
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/23