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采集方式

• OAI收割 [17]

内容类型

• 专利 [11]
• 学位论文 [5]
• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2014 [17]

学科主题

• 传感器 [1]
• 半导体器件 [1]
• 数理科学和化学 ::... [1]

筛选

浏览/检索结果: 共17条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2014     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 用于OCT的具有GRISM的波长可调谐外腔激光二极管 专利  OAI收割 专利号: CN104254950A, 申请日期: 2014-12-31, 公开日期: 2014-12-31 作者:  A·巴赫曼;  M·杜尔克   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/18 具有自对准泵浦光学器件的光学泵浦的固态激光器设备 专利  OAI收割 专利号: CN104247170A, 申请日期: 2014-12-24, 公开日期: 2014-12-24 作者:  S. 格龙恩博尔恩   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/18 III族氮化物半导体激光器元件及制作III族氮化物半导体激光器元件的方法 专利  OAI收割 专利号: CN102668282B, 申请日期: 2014-10-15, 公开日期: 2014-10-15 作者:  高木慎平;  善积祐介;  片山浩二;  上野昌纪;  池上隆俊   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/26 一种具有陷波点的超宽带带通滤波器 专利  OAI收割 专利号: CN203871450U, 申请日期: 2014-10-08, 作者:  陈仙红;  彭亚涛;  张立军   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2015/05/26 III族氮化物半导体激光器元件及III族氮化物半导体激光器元件的制作方法 专利  OAI收割 专利号: CN102549860B, 申请日期: 2014-10-01, 公开日期: 2014-10-01 作者:  善积祐介;  盐谷阳平;  京野孝史;  足立真宽;  德山慎司   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/24 III族氮化物半导体激光器元件及制作III族氮化物半导体激光器元件的方法 专利  OAI收割 专利号: CN102668279B, 申请日期: 2014-09-10, 公开日期: 2014-09-10 作者:  善积祐介;  高木慎平;  池上隆俊;  上野昌纪;  片山浩二   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/18 III族氮化物半导体激光器元件及III族氮化物半导体激光器元件的制作方法 专利  OAI收割 专利号: CN102549859B, 申请日期: 2014-08-06, 公开日期: 2014-08-06 作者:  善积祐介;  盐谷阳平;  京野孝史;  足立真宽;  德山慎司   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/13 III族氮化物半导体激光元件、及制作III族氮化物半导体激光元件的方法 专利  OAI收割 专利号: CN102763293B, 申请日期: 2014-07-23, 公开日期: 2014-07-23 作者:  高木慎平;  善积祐介;  片山浩二;  上野昌纪;  池上隆俊   |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2020/01/18 具有色散补偿外腔的锁模半导体激光二极管 专利  OAI收割 专利号: CN103918143A, 申请日期: 2014-07-09, 公开日期: 2014-07-09 作者:  河野俊介;  仓本大;  宫岛孝夫;  幸田伦太郎;  渡边秀辉   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/18 III族氮化物半导体激光器元件及其制作方法 专利  OAI收割 专利号: CN102025104B, 申请日期: 2014-07-02, 公开日期: 2014-07-02 作者:  善积祐介;  盐谷阳平;  京野孝史;  足立真宽;  秋田胜史   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/26