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机构
半导体研究所 [3]
采集方式
OAI收割 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2010 [1]
2009 [1]
2005 [1]
学科主题
光电子学 [3]
筛选
浏览/检索结果:
共3条,第1-3条
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限定条件
学科主题:光电子学
条数/页:
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Investigation on the strain relaxation of InGaN layer and its effects on the InGaN structural and optical properties
期刊论文
OAI收割
physica b-condensed matter, 2010, 卷号: 405, 期号: 22, 页码: 4668-4672
Wang H (Wang H.)
;
Jiang DS (Jiang D. S.)
;
Jahn U (Jahn U.)
;
Zhu JJ (Zhu J. J.)
;
Zhao DG (Zhao D. G.)
;
Liu ZS (Liu Z. S.)
;
Zhang SM (Zhang S. M.)
;
Qiu YX (Qiu Y. X.)
;
Yang H (Yang H.)
收藏
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浏览/下载:35/0
  |  
提交时间:2010/12/12
InGaN
Dislocation
Metalorganic chemical vapor deposition
High resolution X-ray diffraction
Cathodoluminescence
MISFIT DISLOCATIONS
QUANTUM-WELLS
BAND-GAP
EPILAYERS
GENERATION
ALLOYS
INN
Mechanical Deformation Behavior of Nonpolar GaN Thick Films by Berkovich Nanoindentation
期刊论文
OAI收割
nanoscale research letters, 2009, 卷号: 4, 期号: 7, 页码: 753-757
作者:
Duan RF
;
Wei TB
收藏
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浏览/下载:96/0
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提交时间:2010/03/08
GaN
Nonpolar
HVPE
Nanoindentation
Cathodoluminescence
Raman mapping
MOCVD生长AlGaInN外延层的光学性质研究
期刊论文
OAI收割
红外与毫米波学报, 2005, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 193-197
作者:
江德生
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提交时间:2010/11/23