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• 西安光学精密机械研... [30]
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浏览/检索结果: 共32条，第1-10条 帮助 限定条件 内容类型：专利     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Ce:YAG/Al2O3 COMPOSITES FOR LASER-EXCITED SOLID-STATE WHITE LIGHTING 专利  OAI收割 专利号: US20190264100A1, 申请日期: 2019-08-29, 公开日期: 2019-08-29 作者:  COZZAN, CLAYTON J.;  DENBAARS, STEVEN P.;  SESHADRI, RAM   |  收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2019/12/31 Multi-stage ramp-up annealing for frequency-conversion crystals 专利  OAI收割 专利号: US9413134, 申请日期: 2016-08-09, 公开日期: 2016-08-09 作者:  DRIBINSKI, VLADIMIR;  CHUANG, YUNG-HO ALEX;  ARMSTRONG, J. JOSEPH   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/24 半导体器件及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: US9012965, 申请日期: 2015-04-21, 公开日期: 2012-07-19 作者:  罗军;  赵超   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2016/09/19 Laser annealing apparatus and laser annealing method 专利  OAI收割 专利号: US20150060421A1, 申请日期: 2015-03-05, 公开日期: 2015-03-05 作者:  TAMI, YOSHIHARU;  SOGA, KAZUHIRO;  OGINO, YOSHIAKI   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/31 Method of forming p-type gallium nitride based semiconductor, method of forming nitride semiconductor device, and method of forming epitaxial wafer 专利  OAI收割 专利号: US8815621, 申请日期: 2014-08-26, 公开日期: 2014-08-26 作者:  UENO, MASAKI;  YOSHIZUMI, YUSUKE;  NAKAMURA, TAKAO   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/24 Dual-loop control for laser annealing of semiconductor wafers 专利  OAI收割 专利号: US20140166632A1, 申请日期: 2014-06-19, 公开日期: 2014-06-19 作者:  MCWHIRTER, JAMES T.;  GAINES, DAVID;  LEE, JOSEPH;  ZAMBON, PAULO   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/31 向沟道中引入应变的方法和使用该方法制作的器件 专利  OAI收割 专利号: US8748272, 申请日期: 2014-06-10, 公开日期: 2012-07-19 作者:  徐秋霞;  殷华湘;  陈大鹏   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2015/05/28 Planarization of GaN by photoresist technique using an inductively coupled plasma 专利  OAI收割 专利号: US8257987, 申请日期: 2012-09-04, 公开日期: 2012-09-04 作者:  MOUSTAKAS, THEODORE D.;  WILLIAMS, ADRIAN D.   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/24 Optical waveguide device and manufacturing method thereof 专利  OAI收割 专利号: US7361520, 申请日期: 2008-04-22, 公开日期: 2008-04-22 作者:  WATANABE, SHINYA   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/24 Process for producing an epitaxial layer of gallium nitride 专利  OAI收割 专利号: US7118929, 申请日期: 2006-10-10, 公开日期: 2006-10-10 作者:  FRAYSSINET, ERIC;  BEAUMONT, BERNARD;  FAURIE, JEAN-PIERRE;  GIBART, PIERRE   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/24