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机构
半导体研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2006 [1]
学科主题
光电子学 [1]
筛选
浏览/检索结果:
共1条,第1-1条
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限定条件
学科主题:光电子学
条数/页:
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Effect of GaAS(100) 2 degrees surface misorientation on the formation and optical properties of MOCVD grown InAs quantum dots
期刊论文
OAI收割
applied surface science, 2006, 卷号: 252, 期号: 23, 页码: 8126-8130
Liang S (Liang S.)
;
Zhu HL (Zhu H. L.)
;
Ye XL (Ye X. L.)
;
Wang W (Wang W.)
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提交时间:2010/04/11
photoluminescence
quantum dots
indium arsenide
1.3 MU-M
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
PHASE-EPITAXY
GAAS
LUMINESCENCE
SUBSTRATE
ISLANDS
DENSITY
LASERS
LAYER