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机构
半导体研究所 [7]
采集方式
OAI收割 [7]
内容类型
期刊论文 [6]
会议论文 [1]
发表日期
2011 [3]
2010 [2]
2008 [1]
1995 [1]
学科主题
半导体材料 [7]
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浏览/检索结果:
共7条,第1-7条
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限定条件
学科主题:半导体材料
条数/页:
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Effects of ultra-low Al alloying In(Al) As layer on the formation and evolution of InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 9, 页码: article no.94311
作者:
Xu B
;
Zhou GY
;
Ye XL
;
Zhang HY
收藏
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浏览/下载:53/5
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提交时间:2011/07/05
SELF-ORGANIZED ISLANDS
MOLECULAR-BEAM-EPITAXY
OPTICAL-PROPERTIES
SURFACES
EMISSION
DENSITY
SIZE
Improvement of electroluminescent performance of n-ZnO/AlN/p-GaN light-emitting diodes by optimizing the AlN barrier layer
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 9, 页码: article no.93708
作者:
Zhang XW
收藏
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浏览/下载:47/3
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提交时间:2011/07/05
UV ELECTROLUMINESCENCE
THIN-FILMS
ZNO
Redshift and discrete energy level separation of self-assembled quantum dots induced by strain-reducing layer
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 6, 页码: article no.64320
作者:
Yang T
收藏
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浏览/下载:53/5
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提交时间:2011/07/05
PHOTOLUMINESCENCE
EMISSION
INALAS
Surface roughness scattering in two dimensional electron gas channel
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 26, 页码: article no.262111
Liu B
;
Lu YW
;
Jin GR
;
Zhao Y
;
Wang XL
;
Zhu QS
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:48/5
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提交时间:2011/07/05
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
MOBILITY ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURES
RAY PHOTOEMISSION SPECTROSCOPY
PERFORMANCE
ALN
MODFETS
INN
Formation trends of ordered self-assembled nanoislands on stepped substrates
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 7, 页码: art. no. 073512
Liang S (Liang S.)
;
Zhu HL (Zhu H. L.)
;
Kong DH (Kong D. H.)
;
Wang W (Wang W.)
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/14
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
INAS QUANTUM DOTS
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAAS
SURFACES
ISLANDS
GROWTH
FABRICATION
MIGRATION
ARRAYS
Hydrogen sensors based on Pt-AlGaN/GaN back-to-back Schottky diode
会议论文
OAI收割
34th international symposium on compound semiconductors, kyoto, japan, oct 15-18, 2007
Wang, XH
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Feng, C
;
Wang, XY
;
Wang, BZ
;
Yang, CB
;
Wang, JX
;
Wang, CM
;
Ran, JX
;
Hu, GX
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2010/03/09
GAS SENSORS
HEMT STRUCTURES
MOBILITY
TEMPERATURE
TRANSISTORS
GROWTH
MOCVD
LAYER
Self-consistent calculation of electronic states in asymmetric double barrier structure
期刊论文
OAI收割
materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 1995, 卷号: 35, 期号: 0, 页码: 367-371
Song AM
;
Zheng HZ
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2010/11/17
electron states
RESONANT-TUNNELING STRUCTURE
SPACE-CHARGE BUILDUP
INTRINSIC BISTABILITY
PHONON-EMISSION
DEVICES
DIODE