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• 西安光学精密机械研究... [9]

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• 专利 [9]

发表日期

• 2018 [1]
• 1999 [1]
• 1991 [1]
• 1985 [1]
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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 内容类型：专利     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Low resistance vertical cavity light source with PNPN blocking 专利  OAI收割 专利号: US10033156, 申请日期: 2018-07-24, 公开日期: 2018-07-24 作者:  DEPPE, DENNIS G.   |  收藏  |   Semiconductor light-emitting diode having a p-type semiconductor layer formed on a light-emitting layer 专利  OAI收割 专利号: US5998810, 申请日期: 1999-12-07, 公开日期: 1999-12-07 作者:  HATANO, AKO;  OHBA, YASUO;  FUJIMOTO, HIDETOSHI;  ITAYA, KAZUHIKO;  NISHIO, JOHJI   |  收藏  |   Multi quantum well light emitting element 专利  OAI收割 专利号: JP1991030486A, 申请日期: 1991-02-08, 公开日期: 1991-02-08 作者:  YAMAZAKI HIROYUKI;  KITAMURA MITSUHIRO   |  收藏  |   Semiconductor laser 专利  OAI收割 专利号: JP1985225488A, 申请日期: 1985-11-09, 公开日期: 1985-11-09 作者:  MAMINE TAKAYOSHI;  OKADA TSUNEICHI;  YONEYAMA OSAMU   |  收藏  |   Zinc oxide light emitting diode 专利  OAI收割 专利号: GB1454085A, 申请日期: 1976-10-27, 公开日期: 1976-10-27 作者:  -   |  收藏  |   Semiconductor devices 专利  OAI收割 专利号: GB1170799A, 申请日期: 1969-11-19, 公开日期: 1969-11-19 作者:  -   |  收藏  |   Improvements in and relating to semiconductor recombination radiation sources 专利  OAI收割 专利号: GB1093402A, 申请日期: 1967-11-29, 公开日期: 1967-11-29 作者:  -   |  收藏  |   Composant semi-conducteur 专利  OAI收割 专利号: FR1469282A, 申请日期: 1967-02-10, 公开日期: 1967-02-10 作者:  -   |  收藏  |   A coherent stimulated emission device 专利  OAI收割 专利号: GB1057835A, 申请日期: 1967-02-08, 公开日期: 1967-02-08 作者:  -   |  收藏  |