机构

• 半导体研究所 [4]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2008 [1]
• 2005 [1]
• 2001 [1]
• 1998 [1]

学科主题

• 半导体物理 [4]

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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Photoelectric characteristics of metal/InGaN/GaN heterojunction structure 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 16, 页码: art. no. 165108 Sun, X; Liu, WB; Jiang, DS; Liu, ZS; Zhang, S; Wang, LL; Wang, H; Zhu, JJ; Duan, LH; Wang, YT; Zhao, DG; Zhang, SM; Yang, H 收藏  |  浏览/下载：64/0  |  提交时间：2010/03/08 FUNDAMENTAL-BAND GAP  IN1-XGAXN ALLOYS  INN   Material Growth and Device Fabrication of GaAs Based 1.3μm GaInNAs Quantum Well Laser Diodes 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: 1860-1864 作者:  Xu Yingqiang;  Yang Xiaohong;  Xu Yingqiang;  Han Qin;  Niu Zhichuan 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2010/11/23 Photoluminescence of rapid-thermal annealed Mg-doped GaN films 期刊论文  OAI收割 solid-state electronics, 2001, 卷号: 45, 期号: 7, 页码: 1153-1157 Wang LS; Fong WK; Surya C; Cheah KW; Zheng WH; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：73/5  |  提交时间：2010/08/12 p-type GaN  metalorganic chemical vapor deposition  photoluminescence  X-ray diffraction  rapid-thermal annealing  P-TYPE GAN  RECOMBINATION  EMISSION  ENERGY  BANDS   Oscillatory magneto-conductance in quantum waveguides with lateral multi-barrier structures 期刊论文  OAI收割 international journal of modern physics b, 1998, 卷号: 12, 期号: 6, 页码: 653-661 Gu BY; Sheng WD; Wang J 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2010/08/12 ELECTRON-WAVE-GUIDE  WIRE SYSTEM  TRANSPORT  DEVICE  TRANSMISSION  COUPLER  FIELD  WELLS