机构

• 半导体研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [2]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2006 [2]

学科主题

• 光电子学 [2]

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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Influence of indium-tin-oxide thin-film quality on reverse leakage current of indium-tin-oxide/n-GaN Schottky contacts 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 3, 页码: art.no.033503 Wang RX (Wang R. X.); Xu SJ (Xu S. J.); Djurisic AB (Djurisic A. B.); Beling CD (Beling C. D.); Cheung CK (Cheung C. K.); Cheung CH (Cheung C. H.); Fung S (Fung S.); Zhao DG (Zhao D. G.); Yang H (Yang H.); Tao XM (Tao X. M.) 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2010/04/11 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  N-TYPE GAN  ELECTRICAL-PROPERTIES  BIAS LEAKAGE  DIODES  OXYGEN   Characteristics of InGaN multiple quantum well blue-violet laser diodes 期刊论文  OAI收割 science in china series e-technological sciences, 2006, 卷号: 49, 期号: 6, 页码: 727-732 Li DY (Li Deyao); Zhang SM (Zhang Shuming); Wang JF (Wang Jianfeng); Chen J (Chen Jun); Chen LH (Chen Lianghui); Chong M (Chong Ming); Zhu JJ (Zhu Jianjun); Zhao DG (Zhao Degang); Liu ZS (Liu Zongshun); Yang H (Yang Hui); Liang JW (Liang Junwu) 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/04/11 metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD)  GaN-hased laser diodes  multiple quantum well  ridge waveguide  threshold current  ELECTRICAL-PROPERTIES  GAN SUBSTRATE  CONTACTS