机构

• 半导体研究所 [7]

采集方式

• OAI收割 [7]

内容类型

• 期刊论文 [6]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2010 [1]
• 2008 [1]
• 2006 [1]
• 2004 [2]
• 1996 [1]
• 1991 [1]
• 更多

学科主题

• 半导体材料 [7]

筛选

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Effects of silicon incorporation on composition, structure and electric conductivity of cubic boron nitride thin films 期刊论文  OAI收割 diamond and related materials, 2010, 卷号: 19, 期号: 11, 页码: 1371-1376 Ying J (Ying J.); Zhang XW (Zhang X. W.); Fan YM (Fan Y. M.); Tan HR (Tan H. R.); Yin ZG (Yin Z. G.) 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/12/28 Cubic boron nitride  Doping  Ion beam assisted deposition  X-ray photoelectron spectroscopy  RAY PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY  VAPOR-DEPOSITION  SI  NUCLEATION  GROWTH   Peculiarity of constant photocurrent method for silicon films with mixed amorphous-nanocrystalline structure 期刊论文  OAI收割 journal of non-crystalline solids, 2008, 卷号: 354, 期号: 19-25, 页码: 2282-2285 Kazanskii, AG; Kong, GL; Zeng, XB; Hao, HY; Liu, FZ 收藏  |  浏览/下载：104/29  |  提交时间：2010/03/08 silicon  conductivity  chemical vapor deposition  microcrystallinity  absorption  photoconductivity   Fabrication and properties of Sb-doped ZnO thin films grown by radio frequency (RF) magnetron sputtering 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2006, 卷号: 290, 期号: 1, 页码: 56-60 作者:  Yin ZG 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2010/04/11 crystal structure  thermal annealing  X-ray diffraction  RF magnetron sputtering  zinc oxide  semiconducting II-VI materials  P-TYPE ZNO  SPRAY-PYROLYSIS  ZINC-OXIDE   Influence of the rapid thermal annealing on the properties of thin a-Si films 期刊论文  OAI收割 advanced materials forum ii, 2004, 卷号: 455-456, 期号: 0, 页码: 108-111 Nedev N; Beshkov G; Fortunato E; Georgiev SS; Ivanov T; Raniero L; Zhang SB; Martins, R 收藏  |  浏览/下载：165/56  |  提交时间：2010/03/09 Influence of the rapid thermal annealing on the properties of thin a-Si films 会议论文  OAI收割 2nd international materials symposium, caparica, portugal, apr 14-16, 2003 Nedev N; Beshkov G; Fortunato E; Georgiev SS; Ivanov T; Raniero L; Zhang SB; Martins R 收藏  |  浏览/下载：25/6  |  提交时间：2010/10/29 A new structure of In-based ohmic contacts to n-type GaAs 期刊论文  OAI收割 applied physics a-materials science & processing, 1996, 卷号: 62, 期号: 3, 页码: 241-245 Ding SA; Hsu CC 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/17 MICROSTRUCTURE   ELECTRICAL CHARACTERS OF OXYGEN DEFECTS IN SILICON SUBJECTED TO INTRINSIC GETTERING TREATMENT 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 1991, 卷号: 70, 期号: 1, 页码: 511-513 LI JM 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/11/15 CZOCHRALSKI-GROWN SILICON  MICRODEFECTS  DISLOCATIONS  BEHAVIOR  WAFERS