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Extrinsic Base Surface Passivation in High Speed "Type-II" GaAsSb/InP DHBTs Using an InGaAsP Ledge Structure 外文期刊  OAI收割
2010
作者:  Jin, Z;  Liu, XY;  Wu, Dx;  Zhou, L;  Chang, HD
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HIGH CURRENT, MULTI-FINGER InGaAs/InP HETEROSTRUCTURE BIPOLAR TRANSISTOR WITH f(t) OF 176GHz 外文期刊  OAI收割
2009
作者:  Cheng, W;  Jin, Z;  Qi, M;  Xu, AH;  Liu, XY
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Common-base multi-finger submicron InGaAs/InP double heterojunction bipolar transistor with f(max) of 305 GHz 外文期刊  OAI收割
2008
作者:  Jin, Z;  Su, Y;  Cheng, W;  Liu, X;  Xu, A
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High current multi-finger InGaAs/InP double heterojunction bipolar transistor with the maximum oscillation frequency 253 GHz 外文期刊  OAI收割
2008
作者:  Jin, Z;  Su, YB;  Cheng, W;  Liu, XY;  Xu, AH
  |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/26
High-breakdown-voltage submicron InGaAs/InP double heterojunction bipolar transistor with f(t)=170 GHz and f(max)=253GHz 外文期刊  OAI收割
2008
作者:  Jin, Z;  Su, YB;  Cheng, W;  Liu, XY;  Xu, AH
  |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/26
A short-channel SOI RF power LDMOS technology with TiSi2 salicide on dual sidewalls with cutoff frequency f(T) similar to 19.3 GHz 外文期刊  OAI收割
2006
作者:  Yang, R;  Li, JF;  Qian, H;  Lo, GQ;  Balasubramanian, N
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SOI technology for radio-frequency integrated-circuit applications 外文期刊  OAI收割
2006
作者:  Yang, R;  Qian, H;  Li, JF;  Xu, QX;  Hai, CH
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Rf-cmos  Silicon  Ghz  
Noise modeling and characterization for 1.5-V 1.8-GHz SOI low-noise amplifier 外文期刊  OAI收割
2001
作者:  Jin, W;  Liu, WD;  Hai, CH;  Chan, PCH;  Hu, CM
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Cmos  Receiver