机构

• 半导体研究所 [6]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 期刊论文 [6]

发表日期

• 2005 [1]
• 2003 [1]
• 2002 [1]
• 2000 [1]
• 1999 [1]
• 1998 [1]
• 更多

学科主题

• 半导体材料 [6]

筛选

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 QE and Suns-V-oc study on the epitaxial CSiTF solar cells 期刊论文  OAI收割 science in china series e-engineering & materials science, 2005, 卷号: 48, 期号: 1, 页码: 41-52 Bin A; Shen H; Ban Q; Liang ZC; Chen RL; Shi ZR; Liao XB 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/03/17 SSP ribbon   Optical investigation on the annealing effect and its mechanism of GaInAs/GaNAs quantum wells 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 253, 期号: 1-4, 页码: 155-160 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2010/08/12 interdiffusion  post-annealing  quantum wells  GaInNAs/GaAs  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  CARRIER LOCALIZATION  GAINNAS  LUMINESCENCE  ORIGIN  GAASN   Influence of strain on annealing effects of In(Ga)As quantum dots 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 244, 期号: 2, 页码: 136-141 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/08/12 low dimensional structures  strain  molecular beam epitaxy  quantum dots  ELECTRONIC-STRUCTURE  PHOTOLUMINESCENCE  INTERDIFFUSION  TRANSITIONS  SPECTRA   Effect of rapid thermal annealing on InGaAs/GaAs quantum wells 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 212, 期号: 1-2, 页码: 352-355 Zhuang QD; Li JM; Zeng YP; Yoon SF; Zheng HQ; Kong MY; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2010/08/12 annealing  InGaAs/GaAs  quantum wells  interdiffusion  quantum dots  MBE  DOT SUPERLATTICE   Strain-induced morphological evolution and preferential interdiffusion in SiGe epitaxial film on Si(100) during high-temperature annealing 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 201, 期号: 0, 页码: 556-559 Liu JP; Kong MY; Liu XF; Li JP; Huang DD; Li LX; Sun DZ 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2010/08/12 strain relaxation  Si SiGe  interdiffusion  morphological evolution  QUANTUM DOTS  RELAXATION  INAS  STRANSKI-KRASTANOW GROWTH   Annealing behavior of InAs/GaAs quantum dot structures 期刊论文  OAI收割 journal of electronic materials, 1998, 卷号: 27, 期号: 2, 页码: 59-61 Wang ZM; Feng SL; Lu ZD; Zhao Q; Yang XP; Chen ZG; Xu ZY; Zheng HZ 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/08/12 annealing  InAs/GaAs  quantum dots  BOX ISLANDS  GAAS  INTERDIFFUSION  GAAS(100)  GROWTH  THRESHOLD  INGAAS  STRAIN  SCALE  OPTICAL-PROPERTIES