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GaAs隧道结与GaInNAs太阳能电池材料的分子束外延生长
学位论文
OAI收割
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2014
作者:
甘兴源
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提交时间:2017/03/15
皮秒激光泵浦-探测在窄禁带半导体中的应用研究所
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2010
作者:
马法君
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提交时间:2012/08/22
Hgcdte
Gainnas
深能级吸收
泵浦-探测
载流子动力学
Band crossing in isovalent semiconductor alloys with large size mismatch: first-principles calculations of the electronic structure of bi and n incorporated gaas
期刊论文
iSwitch采集
Physical review b, 2010, 卷号: 82, 期号: 19, 页码: 4
作者:
Deng, Hui-Xiong
;
Li, Jingbo
;
Li, Shu-Shen
;
Peng, Haowei
;
Xia, Jian-Bai
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2019/05/12
The optical gain and radiative current density of GaInNAs/GaAs/AlGaAs separate confinement heterostructure quantum well lasers
期刊论文
OAI收割
Journal of Applied Physics, 2010, 卷号: 107, 期号: 1
S. D. Wu, Y. G. Cao, S. Tomic and F. Ishikawa
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提交时间:2012/11/02
aluminium compounds
energy gap
gallium arsenide
gallium compounds
III-V semiconductors
indium compounds
quantum well lasers
valence
bands
waveguide lasers
threshold-current-density
band parameters
tensile strain
temperature
subbands
semiconductors
performance
spectra
leakage
diode
Band crossing in isovalent semiconductor alloys with large size mismatch: First-principles calculations of the electronic structure of Bi and N incorporated GaAs
期刊论文
OAI收割
physical review b, PHYSICAL REVIEW B, 2010, 2010, 卷号: 82, 82, 期号: 19, 页码: art. no. 193204, Art. No. 193204
作者:
Deng HX (Deng Hui-Xiong)
;
Li JB (Li Jingbo)
;
Li SS (Li Shu-Shen)
;
Peng HW (Peng Haowei)
;
Xia JB (Xia Jian-Bai)
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提交时间:2010/12/27
IMPURITIES
Impurities
Gaas1-xnx
Nitrogen
Gainnas
States
Traps
GAAS1-XNX
NITROGEN
GAINNAS
STATES
TRAPS
1.3-1.55 微米 GaInNAs(Sb)/GaAs 量子阱生长与激光器制备研究
学位论文
OAI收割
博士, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
赵欢
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提交时间:2009/04/13
P-type doping of gainnas quaternary alloys
期刊论文
iSwitch采集
Physics letters a, 2008, 卷号: 373, 期号: 1, 页码: 165-168
作者:
Shi, Hongliang
;
Duan, Yifeng
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提交时间:2019/05/12
First-principles
Alloy
Doping
Formation energy
Transition energy
Band offset
稀氮III-N-V半导体及InAs量子点的分子束外延生长和性能研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2008
作者:
刘昭麟
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提交时间:2012/08/22
分子束外延
稀氮半导体
氮等离子体
Ga(In)Nas
Gansb
Inas量子点
光致发光谱
光调制反射光谱
原子力显微分析
快速热退火
质子注入
局域态
价带分裂
晶格弛豫
声子相关长度
态填充效应
Quantum cascade laser
专利
OAI收割
专利号: US7359418, 申请日期: 2008-04-15, 公开日期: 2008-04-15
作者:
EDAMURA, TADATAKA
;
AKIKUSA, NAOTA
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提交时间:2019/12/24
Localized and free exciton spin relaxation dynamics in GaInNAs/GaAs quantum well
期刊论文
OAI收割
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 92, 期号: 5
作者:
Bian LF(边历峰)
;
Lu SL(陆书龙)
;
Lu SL(陆书龙)
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提交时间:2010/01/15