机构

• 微电子研究所 [13]

采集方式

• OAI收割 [13]

内容类型

• 外文期刊 [13]

发表日期

• 2010 [2]
• 2009 [1]
• 2008 [2]
• 2007 [3]
• 2004 [1]
• 2003 [1]
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浏览/检索结果: 共13条，第1-10条 帮助 限定条件 内容类型：外文期刊     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Characterization and analysis of two-dimensional GaAs-based photonic crystal nanocavities at room temperature 外文期刊  OAI收割 2010 作者:  Peng, YS;  Xu, B;  Ye, XL;  Niu, JB;  Jia, R   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/26 Quantum Dots   Compact Reconfigurable Binary-Decision-Diagram Logic Circuit on a GaAs Nanowire Network 外文期刊  OAI收割 2010 作者:  Shiratori, Y;  Miura, K;  Jia, R;  Wu, NJ;  Kasai, S   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/26 Wrap Gate Control  Architecture   Size dependence of biexciton binding energy in single InAs/GaAs quantum dots 外文期刊  OAI收割 2009 作者:  Dou, XM;  Sun, BQ;  Huang, SS;  Ni, HQ;  Niu, ZC   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/26 Gaas  Amplifiers  Photons  Density  Growth  Lasers   Study and realisation of dual-composite right/left-handed coplanar waveguide metamaterial in MMIC technology 外文期刊  OAI收割 2008 作者:  Tong, W;  Hu, Z;  Zhang, H;  Caloz, C;  Rennings, A   |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2010/11/26 200 nm gate-length GaAs-based MHEMT devices by electron beam lithography 外文期刊  OAI收割 2008 作者:  Xu, JB;  Zhang, HY;  Wang, WX;  Liu, L;  Li, M   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/26 Lmds   Edge-vew photodetector for optical interconnects 外文期刊  OAI收割 2007 作者:  Li, Z;  Shen, H;  Yang, C;  Li, B;  Wan, L   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/26 System  Gaas  Acid   Ordered InAs quantum dots with controllable periods grown on stripe-patterned GaAs substrates 外文期刊  OAI收割 2007 作者:  Ren, YY   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/26 Ge Islands  Transition   Surface-induced large side-gating phenomenon in GaAs quantum wire transistors and its removal by surface passivation using Si interface control layer 外文期刊  OAI收割 2007 作者:  Jia, R;  Kasai, S;  Wang, Q;  Long, SB;  Bin Niu, J   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/26 Level Transient Spectroscopy  Field-effect Transistors  Wrap-gate Control   Self-aligned In0.49Ga0.51P/GaAs HBT DC and RF characteristics related with orientations 外文期刊  OAI收割 2004 作者:  Shi, RY;  Gong, M;  Liu, XC;  Sun, HF;  Yuan, ZP   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/26 Heterojunction Bipolar-transistors   High-performance enhancement-mode pseudomorphic InGaP/InGaAs/GaAs HEMT structures by gas source molecular beam epitaxy 外文期刊  OAI收割 2003 作者:  Li, AZ;  Chen, YQ;  Chen, JX;  Qi, M;  Liu, XC   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/26 Power