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机构
西安光学精密机械研究... [9]
采集方式
OAI收割 [9]
内容类型
专利 [9]
发表日期
2018 [1]
2010 [1]
2006 [2]
1993 [1]
1992 [1]
1989 [1]
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共9条,第1-9条
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内容类型:专利
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Reflection/absorption coating for metallurgical bonding to a laser gain medium
专利
OAI收割
专利号: WO2018111642A1, 申请日期: 2018-06-21, 公开日期: 2018-06-21
作者:
KOONTZ, CHRISTOPHER R.
;
FILGAS, DAVID M.
;
KETOLA, KURT S.
;
TOWNSEND, CARL W.
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提交时间:2019/12/31
Laser facet pre-coating etch for controlling leakage current
专利
OAI收割
专利号: US7763485, 申请日期: 2010-07-27, 公开日期: 2010-07-27
作者:
DIMITROV, ROMAN
;
VERMA, ASHISH
;
SUDO, TSURUGI
;
LEHMANN, SCOTT
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提交时间:2019/12/24
Tunable photonic crystal
专利
OAI收割
专利号: CA2573149A1, 申请日期: 2006-01-26, 公开日期: 2006-01-26
作者:
PUSCASU IRINA
;
PRALLE MARTIN U.
;
DALY JAMES T.
;
MCNEAL MARK P.
;
JOHNSON EDWARD A.
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提交时间:2019/12/30
Tunable photonic crystal
专利
OAI收割
专利号: CA2573149A1, 申请日期: 2006-01-26, 公开日期: 2006-01-26
作者:
PUSCASU IRINA
;
PRALLE MARTIN U.
;
DALY JAMES T.
;
MCNEAL MARK P.
;
JOHNSON EDWARD A.
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提交时间:2019/12/30
Selective-emitting lasers
专利
OAI收割
专利号: EP0556317A1, 申请日期: 1993-08-25, 公开日期: 1993-08-25
作者:
CLAUSEN, EDWARD, MARTIN, JR.
;
COLAS, ETIENNE, GUY
;
VON LEHMEN, ANN, CHRISTINE
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提交时间:2019/12/31
Manufacture of semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1992068588A, 申请日期: 1992-03-04, 公开日期: 1992-03-04
作者:
KAMISATO TAKESHI
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提交时间:2020/01/13
Semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1989136389A, 申请日期: 1989-05-29, 公开日期: 1989-05-29
作者:
ASADA SUSUMU
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提交时间:2020/01/13
-
专利
OAI收割
专利号: JP1988055878B2, 申请日期: 1988-11-04, 公开日期: 1988-11-04
作者:
UCHIUMI TAKAO
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提交时间:2020/01/13
Planar type light-emitting element
专利
OAI收割
专利号: JP1984202676A, 申请日期: 1984-11-16, 公开日期: 1984-11-16
作者:
IGUCHI SHINICHI
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提交时间:2019/12/31