机构

• 半导体研究所 [5]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 会议论文 [3]
• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2000 [2]
• 1999 [2]
• 1996 [1]

学科主题

• 半导体材料 [5]

筛选

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Semi-insulating GaAs grown in outer space 期刊论文  OAI收割 materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2000, 卷号: 75, 期号: 2-3, 页码: 134-138 Chen NF; Zhong XR; Lin LY; Xie X; Zhang M 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2010/08/12 GaAs  outer space  microgravity  integrated circuit  SEMIINSULATING GALLIUM-ARSENIDE  LEC-GAAS  DEFECTS  STOICHIOMETRY  SEGREGATION  CARBON  BORON   Semi-insulating GaAs grown in outer space 会议论文  OAI收割 iumrs international conference of advanced materials, beijing, peoples r china, jun 13-18, 1999 Chen NF; Zhong XR; Lin LY; Xie X; Zhang M 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/11/15 GaAs  outer space  microgravity  integrated circuit  SEMIINSULATING GALLIUM-ARSENIDE  LEC-GAAS  DEFECTS  STOICHIOMETRY  SEGREGATION  CARBON  BORON   Effect of rapid thermal annealing on the Raman spectrum of Si0.33Ge0.67/Si (100) alloy 会议论文  OAI收割 9th international symposium on nondestructive characterization of materials, sydney, australia, jun 28-jul 02, 1999 Liu JP; Kong MY; Huang DD; Li JP; Sun DZ 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/10/29 STRAIN-SHIFT COEFFICIENTS  SI1-XGEX  SILICON  PHONONS   Stoichiometry in GaAs grown in outer space measured nondestructively 会议论文  OAI收割 9th international symposium on nondestructive characterization of materials, sydney, australia, jun 28-jul 02, 1999 Chen NF; Zhong XG; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/10/29 SEMIINSULATING GALLIUM-ARSENIDE  CRYSTALS  DEFECTS   Nondestructive measurements of stoichiometry in undoped semi-insulating gallium arsenide by x-ray bond method 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 1996, 卷号: 69, 期号: 25, 页码: 3890-3892 Chen NF; Wang YT; He HJ; Wang ZG; Lin LY; Oda O 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/17 GAAS